укажите конструктивные особенности принципиально отличают базу от эмитера и колекторе в биполярном транзисторе(толщина,

Структура транзистора, изготовленного по диффузионной технологии, приведена ниже.


Как видно из рисунка, транзистор имеет три области полупроводника, называемые его электродами, причем две крайние области имеют одинаковый тип проводимости, а средняя область - противоположный. Структура транзистора, приведенная на рисунке, называется n-p-n-структурой . Электроды транзистора имеют внешние выводы, с помощью которых транзистор включается в электрическую схему. Одна из крайних областей транзистора, имеющая наименьшие размеры, называется эмиттером (Э) . Она предназначена для создания сильного потока основных носителей заряда (в данном случае электронов) , пронизывающего всю структуру прибора (см. рис.) . Поэтому эмиттер характеризуется очень высокой степенью легирования (N DЭ = 10 19 - 10 20 см -3 ). Другая крайняя область транзистора, называемая коллектором (К) , предназначена для собирания потока носителей, эмиттируемых эмиттером. Поэтому коллектор имеет наибольшие размеры среди областей транзистора. Легируется коллектор значительно слабее эмиттера (подробнее вопрос о выборе концентрации атомов примеси в коллекторе рассмотрен в источнике) . Средняя область транзистора называется базой (Б) . Она предназначена для управления потоком носителей, движущихся из эмиттера в коллектор. Для уменьшения потерь электронов на рекомбинацию с дырками в базе ее ширина W Б делается очень маленькой ( W Б << L n ), а степень легирования - очень низкой - на 3...4 порядка ниже, чем у эмиттера (N АБ <<n>>N АБ ) он характеризуется односторонней инжекцией: поток электронов, инжектируемых из эмиттера в базу, значительно превосходит встречный поток дырок, инжектируемых из базы в эмиттер.