Вопрос по поводу, схемы с общим коллектором. Прочитал тонны книжек, а ответа на свой вопрос так и не нашел...

Что же ты закрыл, все ответы))
Если ты хочешь понять принцип усиления транзистора на уровне электронов/дырок
То запомни! в схеме с ОЭ такое же усиления тока на эмиттерном переходе,
и в схеме с ОК наблюдается усиления на коллекторном переходе. собирай и убедись на практике

P.S
Не обращай внимания на ответы всяких ебанутых троллей

Не рублю в этом, простите

Тебе популярно было описано, просто удивляюсь, чего еще то надо? Это ужас....

На пальцах.
В эмиттере стоит резистор R. Через него течет ток эмиттера I и на нем же получается падение напряжения U1. Но прикол в том, что я могу поставить сопротивление R в 3 раза меньше. Тогда через него потечет ток 3*I то есть в три раза больше - при ТОМ ЖЕ падении напряжения U1
Получается - я могу установить номинал тока в эмиттере при том же самом токе базы, который был и при других нагрузках в эмиттере..
А теперь - все это в динамике, то есть при изменении тока базы от нуля до насыщения перехода. Усиление по напряжению отсутствует, ибо есть ООС. А ток можно гонять любой (в паспортных значениях, канеш).

Когда то у меня встал такой вопрос. Сел за стол с паяльником и "запчачстями". Так тоже хорошо усиливает и батарейку в покое не кушает. Даже не верится? Так проверь !

У схем с общим эмиттером высокое выходное сопротивление, поэтому они дают усиление по напряжению, а у схем с общим коллектором низкое, вот они и усиляют по току.

Переходы БК и БЭ это аналогичные друг другу PN переходы. Просто, чисто конструктивно транзистор выполнен так, что наибольшее усиление в схеме с ОЭ. То есть, в каком-то смысле, коллектор и эмиттер это условные понятия.

транзистор без каких либо причиндалов - прибор усиливающий ток.

Чтобы стать умным, достаточно прочитать 10 книг, но чтобы найти их, нужно прочитать тысячи.

Забудь про "переходы". Ток эмиттера практически равен току коллектора.

примерная аналогия: плотина создаёт разность потенциалов (высота), т. е. скорость потока носителей заряда, ширина плотины обеспечивает ток (количество воды за ед. времени), меняя ширину перехода меняем ток при постоянном (почти) напряжении на переходе

"Ведь усиления по току должно происходит в коллектором переходе (Б-К),"

По-моему не в переходе Б-К, а по сути между К-Э.
Суть процесса в том, что ток идущий из базы в эммитер, вызывает движение зарядов из эммитера в базу. Но бОльшая часть этих зарядов (бОльшая в h21e раз, то есть обычно порядка в 100 раз), которые идут из эммитера в базу, не доходят до вывода базы, а перехватываются коллектором.
Сами названия эммитер и коллектор, подразумевают, что эммитер выдает заряды, а коллектор их собирает.

Для примера возьмем транзистор n-p-n.
На коллектор подано например +10 В относительно эммитера.
Переход К-Б при этом смещен в обратном направлении и через него ток практически не идет. Но если подать ток через базу на эммитер, то электроны заходящие из эммитера в базу по дороге к выводу базы проходя возле перехода К-Б, оказываются для перехода К-Б в благоприятном для перемещения в коллектор поле, и как бы засасываются коллектором и уходят на вывод коллектора.

Если транзистор имеет коэф. передачи тока 100, то независимо от того, какая схема включения транзистора, из сотни электронов зашедших внутрь транзистора по выводу эммитера, через вывод базы уходит только один, а остальные уходят через вывод коллектора.

Я понимаю, что такое обяснение корявое, но красиво обясняется в книгах,
а Вы пишете, что в книгах непонятно.

---
Что касается книг, то по-моему многие вещи по электронике хорошо обяснены в книге
Манаев, Основы радиоэлектроники, 1990
http://rgho.st/8HTHQWtcb

При обяснении работы транзистора, Манаев ссылается на книги
Пасынков В. B., Чиркин Л. K., Шинков А. Д. Полупроводниковые приборы. 1981
и
Терехов В. А. Задачник по электронным приборам. 1983
но я этих книг не читал, поэтому своего мнения о них не имею.