помогите пожалуйста решить сложную задачу : Для изготовления кремниевого транзистора типа n-p-n используется планарно-

Для изготовления кремниевого транзистора типа n-p-n используется планарно-диффузионная технология без скрытого слоя. Какие операции необходимо выполнить в рамках данного технологического цикла? Кремниевая пластина p-типа имеет толщину 0.127-0.152 мм и удельное сопротивление 10 Ом. см. Толщина эпитаксиального слоя 0.025 мм, толщина оксидного слоя 50 нм.