Расскажите пожалуйста, кто изобрёл туннельный диод и когда. Спасибо.

Одной из последних разработок в области полупроводниковых
приборов является туннельный диод, изобретенный в 1958 г. японским
ученым Эсаки. В настоящее время разработкой и производством туннельных
диодов интенсивно занимаются во многих странах мира, поскольку их
применение сулит чрезвычайно широкие возможности. Чем же туннельный диод
привлек к себе всеобщее внимание радиоспециалистов?

Туннельный диод способен усиливать, генерировать и преобразовывать
электромагнитные колебания до частот порядка нескольких сотен гигагерц,
что соответствует миллиметровому диапазону волн. Его усилительные
свойства сохраняются в интервале температур от -200 до +400° С.
Усилители на туннельных диодах обладают очень высоким коэффициентом
усиления и сравнительно низким уровнем шумов.

В области импульсной техники применение туннельных диодов оказалось
чрезвычайно перспективным. С их помощью возможно конструировать
математические машины, обладающие очень большой скоростью счета и
высокой надежностью.

К указанным преимуществам необходимо добавить, что туннельные диоды
практически нечувствительны к ядерной радиации, имеют очень малые
размеры, ничтожный вес и потребляют энергию от источников питания, в
несколько раз меньшую, чем самые экономичные электронные и
полупроводниковые приборы.