См снутри. Что образуется в полупроводнике при добавлении донорной примеси?

Увеличивается количество электронов.
ДОНОРНАЯ ПРИМЕСЬ - примесь в полупроводнике, ионизация к-рой приводит к переходу электрона в зону проводимости или на уровень акцепторной примеси. Типичный пример Д. п. - примеси элементов V группы (Р, As, Sb, Bi) в элементарных полупроводниках IV группы - Ge и Si. В сложных полупроводниках роль Д. п. могут играть атомы электроположит. элементов (Сu, Zn, Cd, Hg и др.) , избыточные по отношению к составу, соответствующему стехиометрич. ф-ле полупроводника. Введение Д. п. сообщает полупроводнику электронную проводимость, поскольку ионизация Д. п. приводит к появлению электронов в зоне проводимости, что описывается как переход электрона в зону проводимости с донорного уровня, расположенного в запрещённой зоне. Д. п. характеризуется энергией, необходимой для такого перехода (энергией иони-зации Ei. Д. п. с энергией ионизации порядка тепловой энергии kT (мелкие примеси) описывается водородоподобной моделью. Учёт диэлектрич. свойств полупроводника (характеризуемых его диэлектрической проницаемостью e) и отличие эфф. массы т* электронов проводимости от массы свободных электронов m0 приводит к тому, что энергия ионизации Д. п. оказывается в e2m0/m* раз меньше энергии ионизации атома водорода (~10 эВ) . При m*~0,l m0, e~10Ei ~10-3 Eат ~ 10 мэВ.

Проводимость полупроводника увеличивается за счёт увеличения электронов, как свободных носителей заряда.

При комнатной температуре электроны с атомов примеси переходят в зону проводимости, соответственно атомы примеси становятся положительно заряженными ионами. Полупроводник в целом становится элетропроводен благодаря наличию элетронов в зоне проводимости. Это проводник n-типа ("эн-типа"). Проводимость будет пропорциональна количеству донорной примеси.