полупроводники

По способности проводить электрический ток все твердотельные материалы принято делить на проводники, полупроводники и диэлектрики или изоляторы. К группе проводников относят материалы с проводимостью ? > 106 Ом-1см-1, к ним относятся металлы, в которых высокая проводимость обеспечивается высокой концентрацией
электронов проводимости. Напротив в диэлектриках, как правило при комнатной температуре электронов очень мало и их проводимость, в основном носит ионный характер, поэтому она мала ? < 10-10 Ом-1см-1. В промежуточную группу попадают полупроводники, которые взависимости от их состава и концентрации примесей могут иметь концентрацию электронов близкую к нулю (тогда они являются изоляторами) и близкую к концентрации электронов в металле (тогда они
являются проводниками) . Возможность изменять в широких пределах электропроводность не только технологическими методами, но и используя внешние воздействия, позволила создать на основе
полупроводников твердотельные электронные приборы. Именно изучение этих приборов и используемых в них методов управления электронными потоками и составляет основное содержание данного курса.
Металлы и полупроводники помимо величины электропроводности отличаются так же и зависимостью электропроводности от температуры. В металлах электропроводность с температурой, как правило, падает почти по линейному закону .
Следует обратить внимание на тот факт, что при увеличении концентрации примеси на 9 порядков, проводимость образца возрастает на 8 порядков, т. е.
существует почти линейная зависимость между проводимостью и концентрацией примеси.
Легирование влияет не только на величину электропроводности, но и на ее температурную зависимость, что демонстрируют кривые,
приведенные на рис. 3.4. Как видно из графиков в области высоких температур электропроводность легированного материала стремится к электропроводности нелегированного. В области низких температур
проводимость изменяется незначительно, имея слабо выраженный
максимум. Для сильно легированных кристаллов проводимость изменяется
с температурой подобно проводимости металлов.

Примеси есть донорные N-типа которые добавляют электрон и акцепторные P-типа которые забирают электрон у соседних атомов Si или Ge в кристале... образуются свободные электорны или дырки которые перемещаются в кристале в электрическом поле в противоположных направлениях.. .
чем больше атомов примеси в кристале тем больше подвижных зарядов...