Метод получения ПН переходов. Метод легирования(вплавления).

Ионное легирование — это технологическая операция введения примесей в поверхностный слой пластины или эпитаксиальной пленки путем бомбардировки ионами примесей.

Идея использования ионного пучка для легирования полупроводников (в частности, кремния) проста. Разогнанные электрическим полем, обладающие значитальной энергией ионы элементов, используемых обычно для создания примесной проводимости, внедряясь в кристалл полупроводника занимают в его решетке положение атомов замещения и создают соответствующий тип проводимости. Внедряя ионы III и IV групп в монокристалл кремния, можно получить p-n переход в любом месте и на любой прощади кристалла.

Основными блоками ионно-лучевой установки являются источник ионов, ионный ускоритель, магнитный сепаратор, система сканирования пучком ионов, мишень (пластина кремния) .

Ионное легирование широко используется при создании БИС и СБИС. По сравнению с диффузией оно позволяет создавать слои с субмикронными горизонтальными размерами толщиной менее 0,1 мкм с высокой воспроизводимостью параметров.

Думаю все когда-нибудь видели таблицу Менделеева. Так вот есть там такие элементы как кремний, германий, индий и некоторые другие. Про первый слышали наверняка, а вот про остальные - неуверен. Не буду вспоминать про древности, а приступлю сразу к тому, что есть сейчас. А есть вот что. Основу любой МС составляет пластина из кремния. Да не просто кремния, а очень чистого, с практически нулевым содержанием примесей. Затем с ней делают разные вещи. Где удаляют отдельные участки (процесс по смыслу аналогичен травлению плат) , где-то добавляют примеси (об этом попозже) , а где-то его окисляют (получается диэлектрик) . В результате всех этих манипуляций получается блестящий переливающийся прямоугольничек, который ты сможешь наблюдать, разбив любую МС молотком или чем потяжелее.
Но вернёмся к нашим тараканам (то есть микросхемам) . Внимательный читатель заметит, что сначала мы вроде удаляли примеси, а затем зачем-то их снова вводим. Непорядок? А вот и нет. Убрали мы всякий мусор, а вносим уже вещества (точнее атомы) , чтобы придать определённые свойства этому участку кремния. Точнее обеспечить избыток или недостаток электронов. В первом случае вводятся так называемые доноры, во втором акцепторы. И получаем проводимости n- и p- типов соответственно. Подробнее по этому вопросу могу рекомендовать помучить любимый поисковик запросами "p-n-переход", "полупроводники", "электронно-дырочный переход" или что-то в этом духе. Задача у нас немного другая. Хотя может, позже напишу что-нибудь и на эту тему.

это где-то нашёл.

по моему там доводят кремний до температуры плавления и осаждают пары индия и ещё какогото вещства, но как-то выборочно. предварительно кремний очищают при чём тоже при температуре плавления прокатывая ролик за которым все примеси стягиваются