Техника
Сколько p-n переходов имеется в полупроводниковом диоде?
Мне кажется, чуть больше, чем ни одного
один
У большинства типов диодов-один.
Полупроводниковый диод, двухэлектродный электронный прибор на основе полупроводникового (ПП) кристалла. Понятие «П. д. » объединяет различные приборы с разными принципами действия, имеющие разнообразное назначение. Система классификации П. д. соответствует общей системе классификации полупроводниковых приборов. В наиболее распространённом классе электропреобразовательных П. д. различают: выпрямительные диоды, импульсные диоды, стабилитроны, диоды СВЧ (в т. ч. видеодетекторы, смесительные, параметрические, усилительные и генераторные, умножительные, переключательные) . Среди оптоэлектронных П. д. выделяют фотодиоды, светоизлучающие диоды и ПП квантовые генераторы.
Наиболее многочисленны П. д. , действие которых основано на использовании свойств электронно-дырочного перехода (р — n-перехода) . Если к р — n-переходу диода (рис. 1) приложить напряжение в прямом направлении (т. н. прямое смещение) , т. е. подать на его р-область положительный потенциал, то потенциальный барьер, соответствующий переходу, понижается и начинается интенсивная инжекция дырок из р-области в n-область и электронов из n-области в р-область — течёт большой прямой ток (рис. 2). Если приложить напряжение в обратном направлении (обратное смещение) , то потенциальный барьер повышается и через р — n-переход протекает лишь очень малый ток неосновных носителей заряда (обратный ток) .
К П. д. относят также ПП приборы с двумя выводами, имеющие неуправляемую четырёхслойную р — n—р — n-структуру и называют динисторами .
Полупроводниковый диод, двухэлектродный электронный прибор на основе полупроводникового (ПП) кристалла. Понятие «П. д. » объединяет различные приборы с разными принципами действия, имеющие разнообразное назначение. Система классификации П. д. соответствует общей системе классификации полупроводниковых приборов. В наиболее распространённом классе электропреобразовательных П. д. различают: выпрямительные диоды, импульсные диоды, стабилитроны, диоды СВЧ (в т. ч. видеодетекторы, смесительные, параметрические, усилительные и генераторные, умножительные, переключательные) . Среди оптоэлектронных П. д. выделяют фотодиоды, светоизлучающие диоды и ПП квантовые генераторы.
Наиболее многочисленны П. д. , действие которых основано на использовании свойств электронно-дырочного перехода (р — n-перехода) . Если к р — n-переходу диода (рис. 1) приложить напряжение в прямом направлении (т. н. прямое смещение) , т. е. подать на его р-область положительный потенциал, то потенциальный барьер, соответствующий переходу, понижается и начинается интенсивная инжекция дырок из р-области в n-область и электронов из n-области в р-область — течёт большой прямой ток (рис. 2). Если приложить напряжение в обратном направлении (обратное смещение) , то потенциальный барьер повышается и через р — n-переход протекает лишь очень малый ток неосновных носителей заряда (обратный ток) .
К П. д. относят также ПП приборы с двумя выводами, имеющие неуправляемую четырёхслойную р — n—р — n-структуру и называют динисторами .
Полностью согласна с Архитектором)))
2
Похожие вопросы
- как на p-n переход (полупроводниковый диод) влияеет шиирена запрещеной зоны?
- p-n-переход
- Методы изготовления P-N-перехода. какие бывают Методы изготовления P-N-перехода, и кратко о них расскажите, пожалуйста
- Как обьяснить выпрямляющие свойства p-n-перехода. Как обьяснить выпрямляющие свойства p-n-перехода
- Что такое p-n-p и n-p-n переходы? Чем они отличаются?
- свойства p-n перехода при прямом включении свойства p-n перехода при прямом включении
- Физические основы работы электронно-дырочного перехода (p-n перехода)
- Напишите про устройство,принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом
- С какого года велась разработка P-N перехода (полупроводника), увидевшего свет в 1947-ом году?
- Основное преимущество полевого транзистора MD II типа от полевого транзистора с управляющим p-n переходом в том, что он