Основное преимущество полевого транзистора MD II типа от полевого транзистора с управляющим p-n переходом в том, что он

Если "II типа" - это МОП-транзистор (с изолированным затвором) , то его основное отличие и преимущество в том, что там напряжение на затворе может быть любого знака. У транзистора с pn-переходом, ясен пень, - только такого, при котором этот переход не открывается.
Собсно, во всех КМОП-схемах (а эта вся современная логика, в том числе все процессоры и для мобил, и для компьютеров) как раз и исопльзуется то, что там напряжение на затворе может быть любого знака. В КМОП-инверторе напряжение на затворах обоих транзисторов всегда "прямое", если рассматривать его с точки зрения pn-переходного транзистора.
Второе отличие - что МОП-транзисторы можно сделать с "обогащённым каналом", то есть такими, чтобы они при нулевом напряжении на затворе были закрыты (опять же, вся КМОП-логика именно на этом и работает) . В транзисторе с pn-переходом нулевое напряжение затвор-исток соответствует максимально открытому состоянию транзистора.

Шумы: а вот тут как раз преимущество у транзисторов с pn-переходом. У них заметно меньше шумы вида 1/f (фликер-шум, иногда ещё называется "телеграфный шум"). Поэтому в высокочувствительной аппаратуре применяются именно такие транзисторы (и операционники с входным каскадом на JFET).
Входное сопротивление сопоставимо и там, и там, - это десятки мегом. Тем более что само по себе оно важно только в схемах постоянного тока (ток утечки МОП-транзисторов, естессно, меньше) . Как только работа идёт на переменном токе, намного существеннее становится входная ёмкость, которая при сопоставимой геометрии больше у МОП-транзисторов. Поэтому в сколько-нибудь широком диапазоне частот преимущество тоже у JFET.

В) отрицательный параметр.... Котируются на снижение выходного сопротивления, а входное у всех полевых высокое! достигает 10-100 мегаом.... Б) нет такого понятия у полевых, есть 1)начальный ток стока. 2) крутизна характеристики....)))))))))

Что это за MD II типа?