В чем состоит явление внутреннего фотоэффекта? .

Полупроводник n-типа покрывают тонкой прозрачной пленкой p-типа: Между полупроводниками образуется запирающий слой :p-n переход; Под действием солнечного света в тонкой пленке p -типа генерируются пары "электрон-дырка "большинство не успевает рекомбинировать, попадают в слой p-n перехода; под действием поля электроны перемещаются к n -области; а дырки к p-области; возникает при освещении ЭДС=E=0,5 В; ПРИ замыкании проводов от p и n переходов 1 элемент может создавать ток до 25 милиамперов с каждого квадратного сантиметра освещаемой поверхности; ТАК УСТРОЕНЫ СОЛНЕЧНЫЕ БАТАРЕИ