Технология производства ЦП. че там в нанометрах змеряетса?

Технологические нормы производственного процесса определяют характерное минимальное расстояние между двумя соседними элементами в одном слое микросхемы, то есть своеобразный шаг сетки, к которой осуществляется привязка элементов микросхемы. При этом совершенно очевидно, что чем меньше этот характерный размер, тем больше транзисторов можно разместить на одной и той же площади микросхемы. При использовании технологии с нормами 130 нм полезная ширина канала транзистора составляет 60 нм, а толщина оксидного слоя затвора не превышает 1,5 нм. Если же использовать технологию с нормами 90 нм, транзисторы будут иметь длину затвора 50 нм и толщину оксидного слоя. Производство процессоров 75 затвора всего 1,2 нм. В лабораторных условиях уже делают кристаллы по технологическим нормам 65 нанометров.

Размер затвора транзистора. Расстояние между транзисторами больше - проводники в расчёт не беруться.

Ты прав! Общий размер кристалла (могу ошибаться, поскольку не вскрывал процессора) ! только КРЕМНИЕВОГО, а не кварцевого! Там полупроводники, а не проводники. Энергопотребление никак не уменьшает. Уменьшает напряжение немного (на 10ки миливольт) а мощность потребляемую увеличивает. Это делают для уменьшения размера, т. е. повышения мощности при одинаковом размере. Поэтому эти процессоры наиболее чувствительны к нагреву, и сильнее греются! Сам подумай, маленькая кастрюля греется быстрее !

Это размер транзисторов на чипе процессора.
А уменьшать эноргопотребление позволяет уменьшение погрешности в определения параметров данного транзистора.

Ну и вопросы ты задаёшь. супер