Вопрос о p-n переходе

Это же не гетеропереход? И там, и там собственный полупроводник одного вида? Тогда всё просто.

1. Концентрация собственных носителей заряда в обеих частях перехода одинакова (полупроводники одного вида, например, кремний) ,

2. Начинаем их легировать: произведение концентраций основных и неосновных носителей заряда равна квадрату концентрации собственных:

Пример: (кремний) n(i) = 1E10, доводим n(p) до 1E13, тогда автоматически n(n) снижается на эти 3 порядка (1000 раз) до 1E7.

3. Раз одна их областей сильно легирована, в ней концентрация неосновных носителей ничтожна, ею и можно пренебречь. Конкретно, концентрацией дырок (носителей p) в n+ части. И током, ими создаваемым.

Чтобы было понятнее, возьмем такой переход:

в части n+ имеем n(n) = 1 E14, тогда n(p) = 1 E6

в части p имеем n(p) = 1 E13, тогда n(n) = 1E7

Отсюда видно, что ток неосновных носителей заряда из области p будет в 10 раз превышать такой из области n (1E7 / 1E6 = 10).

Буквой n, если она не в скобках, обозначена концентрация, если в скобках, то электрон, буквой p соответственно дырка (она только в скобках) . Поэтому n(n) надо читать как "концентрация электронов" (понятное дело, свободных, т. е. в зоне проводимости) , а n(p) как "концентрация дырок" (тоже свободных, только уже в валентной зоне) .

Будет что не понятно, пиши. А с уравнением разберись сам и зачеркни часть для n.

n - от слова „негатив“ (-),
p - от слова „позитив“ (+).