Естественные науки
Я упоротый. ) n-p переход закрывает ход тока, тогда каким макаром он проходит n-p-n? Не понимаю.
Если граница p за счёт соседней n превращается в изолятор (дырки заполнились электронами и ток не протекает) , каким макаром при том же самом процессе он потечёт в n-p-n?
Штука в том, что если подать напряжение всего лишь полвольта на базу, то переход откроется и ток потечет от эмиттера к коллектору. Уберешь полвольта и ток опять не течет. Вот такая фигня.
Женя Зараменских
Это есть. А ПОЧЕМУ? Раньше то он чё-то как-то не открывался, а тут вдруг открылся. За счёт чего? Делаем то ведь то-же самое. Ну подал ты на базу напряжение, и тем самым только увеличил область изолятора, заполнив и те дырки, которые лежат не только впрытык к n, но и вообще во всей области. И почему при этом ток должен течь. Он и не должен течь, теоретически.
Запертые переходы образуются на границах полупроводников разного типа ...Напряжение на прослойке размывает эти границы - раздвигает разнополярные заряды и переход становится неразнополярным ...
Так и течет ток - через оба перехода, пока не снимешь напряжение с прослойки - базы - Заряды снова организуются друг против друга, на обеих переходах ...
p.s. ..
p-n-p ...позитив-негатив-позитив ..
Так и течет ток - через оба перехода, пока не снимешь напряжение с прослойки - базы - Заряды снова организуются друг против друга, на обеих переходах ...
p.s. ..
p-n-p ...позитив-негатив-позитив ..
Женя Зараменских
Мне кажется это неудачное видео. Оно не раскрывает сути происходящих внутри процессов. Теперь, когда всё более менее понятно, ясно видно, что из него и нельзя было понять в чём разница между электроном и ионизированным акцептором, дыркой и ионизированным донором. Следовательно и понять почему вообще происходит запирание области базы при обратном напряжении.
Если с первого "n" (эмиттера) подать на "p" (базу) слабенький ток, то второй "n" (коллектор) , воспользовавшись близостью, обязательно украдёт у первого "n" часть тока.
Транзисторы стараются конструировать так, чтобы коэффициент воровства (коэффициент усиления по току) был как можно больше. У первых транзисторов он составлял 3-4 единицы. У самых лучших современных - в сто раз больше.
То есть, если мы возьмём современный транзистор и высосем из его базы ток 1 миллиампер, то через коллектор пойдёт ток 300-400 миллиампер.
Транзисторы стараются конструировать так, чтобы коэффициент воровства (коэффициент усиления по току) был как можно больше. У первых транзисторов он составлял 3-4 единицы. У самых лучших современных - в сто раз больше.
То есть, если мы возьмём современный транзистор и высосем из его базы ток 1 миллиампер, то через коллектор пойдёт ток 300-400 миллиампер.
Ну ты как в анекдоте о Петьке и Чапаеве - 0,5+0,5 нутром чувствую что это литр, а сказать не могу - таким же макаром как и в p-n-p тр-ре - при подаче упр-щего напряжения на базу
Женя Зараменских
Это я знаю. Я не могу понять ПОЧЕМУ. Почему если подали напряжение на базу p она превращается в проводник?
Запирающий слой образуется за счет того, что существует электрическое поле, созданное ионами примесей и направлено от n области к p. Это поле разделяет заряды -- электроны в n, дырки в p область Рекомбинация (дырки заполнились электронами ) здесь не причем.
n-p переход закрывает ход тока, если потенциал области р отрицательный, n- положительный, т. е внешнее электрическое поле направлено как и внутреннее и усиливает его, при этом ширина запирающего слоя увеличивается. Такое включение называют обратным. При прямом включении ( к р +, n -) внутреннее поле компенсируется внешним, запирающий слой исчезает и ток проходит.
Если на базу транзистора n-p-n подать + напряжение по отношению к эмиттеру, эмиттерный n-p переход будет включен в прямом направлении. Электроны, попадая в область базы, ускоряются полем p-n коллекторного перехода, переходят в область коллектора. Ч-з транзистор течет ток.
Если на базе 0 или - напряжение, транзистор заперт.
n-p переход закрывает ход тока, если потенциал области р отрицательный, n- положительный, т. е внешнее электрическое поле направлено как и внутреннее и усиливает его, при этом ширина запирающего слоя увеличивается. Такое включение называют обратным. При прямом включении ( к р +, n -) внутреннее поле компенсируется внешним, запирающий слой исчезает и ток проходит.
Если на базу транзистора n-p-n подать + напряжение по отношению к эмиттеру, эмиттерный n-p переход будет включен в прямом направлении. Электроны, попадая в область базы, ускоряются полем p-n коллекторного перехода, переходят в область коллектора. Ч-з транзистор течет ток.
Если на базе 0 или - напряжение, транзистор заперт.
Женя Зараменских
Ага, во, ясно, рекомбинация ни при чём. Сразу легче стало.)
Женя Зараменских
Хах! Точно! Про диффузию-то я и забыл! Не за счёт рекомбинации, а за счёт диффузии переход-то образуется. Вот оно чо.
Похожие вопросы
- Вопрос о p-n переходе
- Физика. Появление Дырки в p-n переходе
- Помогите описать механизм образования P-N перехода!!
- Как сделать ключь на биполярном транзисторе с p-n переходом? что куда подключать?
- какие свойства у p-n перехода
- Более точная характеристика тока не q/t, a q*n*v*S ?
- n!= 1*2*3*…*n – произведение всех натуральных чисел от 1 до n, называется «n факториал». Какое наименьшее
- M1 M2 N множества N в пересечении M1=N в пересечении M2 и N в объединении M1=N в объединении M2: доказать M1
- Как доказывается, что (n-1)/n (n € N) - несократимая дробь?
- Математики, АУ!!! ПОМОГИТЕ lim ( 1- 4/(n+3) ) вся скобка в степени n n стремится к бесконечности