Объяснение возникновения запирающего слоя в полупроводниковом диоде при включении его в электрическую цепь

Диод состоит из одного электронно-дырочного перехода (или n–p-перехода) – области контакта полупроводника с разными типами проводимости.
В полупроводнике в области n-типа основными носителями свободного заряда являются электроны; их концентрация значительно превышает концентрацию дырок. В области полупроводника p-типа основными носитялеми являются дырки. При контакте двух полупроводников n- и p-типов начинается процесс диффузии: дырки из p-области переходят в n-область, а электроны, наоборот, из n-области в p-область. В результате в n-области вблизи зоны контакта уменьшается концентрация электронов и возникает положительно заряженный слой. В p-области уменьшается концентрация дырок и возникает отрицательно заряженный слой. Таким образом, на границе полупроводников образуется двойной электрический слой, поле которого препятствует процессу диффузии электронов и дырок навстречу друг другу (так называемый "запирающий слой").
n–p-переход обладает свойством односторонней проводимости.

Представьте себе полупроводник, в котором как бы срослись два слоя с разными примеся­ми — электронный и дырочный. Из электрон­ного слоя в дырочный продвигаются благодаря диффузии электроны. Они оставляют пустые места в атомах — дырки. В дырочном же слое электроны-пришельцы «проваливаются» в дыр­ки, количество которых поэтому уменьшается. За границей раздела получается с дырочной стороны избыток электронов, а с электронной —избыток дырок. В конце концов наступит рав­новесие, количество электронов-перебежчиков и дырок-перебежчиц уравняется. И тогда в ды­рочном слое у самой его границы возникнет ряд отрицательных зарядов, а в электронном — ряд положительных зарядов. Между двумя разноименными зарядами, как между обклад­ками заряженного конденсатора, появится электрическое поле. Оно будет направлено против новых «нарушителей границы». В элек­тронном слое это поле станет задерживать электроны, стремящиеся перейти границу — оттолкнет их обратно. А в дырочной области по­граничное поле оттолкнет обратно новых пере­бежчиц-дырок. Движение зарядов через границу прекратится. На границе возникнет запираю­щий слой, преодолеть который носители тока не смогут без помощи внешнего электрического поля. Этот запирающий слой — основа многих ценнейших аппаратов и приборов.
Источник: "Детская энциклопедия". Короче объяснить у меня не получится.