ИУ
Инна Ушакова
Скорее всего среднее арифметическое между результатами для s1 и s2, хотя на 100% не уверен.
проинтегрируй от 0 до L.
радиусы оснований r=(s1/pi)^1/2, R=(s2/pi)^1/2. выберем произвольное сечение s(x) на расстоянии х от s1. s(x)=pi*r(x)^2, r(x)=r+y, где у=xtgA, а tgA=(R-r)/L. собирая все в кучу имеем s(x)=pi(r+x(R-r)/L)^2. тогда сопротивление dQ тонкого dx участка проводника с сечением s(x) будет dQ=po(dx/s(x)) а сопротивление всего проводника будет равно определенному интегралу от dQ в пределах от 0 до L. делая замену r+x(R-r)/L =t, dx=Ldt/(R-r), переходим к интегралу po*L/pi(R-r)*int dt/t^2, который легко находится. дальше сама. ответ Q=po*L/(s1*s2)^1/2. т. е. эффективное сечение равно среднему геометрическому от s1 и s2.