как по величине теплового сопротивления выбрать конструкцию полупроводникового диода?

эсли я правильно понял вопрос, то в зависимости от требуемой рассеиваемой мощности выбирается размер п-н перехода диода, для больших мощностей характерны плоскостные п-н переходи, с большой площадью, их противоположность - точечные п-н переходы, они рассеивают значительно меньшую мощность, но способны работать на очень высоких частотах, чего трудно добиться от более мощных диодов с большей площадью перехода. а в целом тут вроде как достаточно описать существующие технологии изготовления диодов и их п-н переходов, это эсть почти в любой книге, рекомендую Жеребцова "элементная база электронной аппаратуры" или как-то так.