В pnp транзисторе, ток базы состоит исключительно из электронов, рекомбинирующих с дырками. То, что приходит из коллектора, - это обратный ток коллекторного перехода, а то, что переходит в эмиттер, - это обратный ток эмиттерного перехода. При нормальной работе эиттерный переход включён в прямом направлении, так что электроны базы в эмиттер не переходят.
Обратный ток коллектора в плохих транзсторах может превышать "нормальный" ток базы (от источника тока базы) . С точки зрения работы транзистора, эти электроны ничем не отличаются от "честных" электронов, инжектированных снаружи. Поэтому характеристика пробоя транзистора в схеме с ОЭ существенно отличается от таковой же для схемы ОБ.
В целом же - да, чем больше электронов инжектировано в базу, тем сильнее нарушена её электронейтральность и тем большее количество дырок из эмиттера будет требоваться на её восстановление. А поскольку база тонкая, то эти бырки в основном будут базу проскакивать насквозь, создавая ток коллектора.