http://www.moskatov.narod. ru/Books/The_electronic_technics/MOSFET.html
Существует два типа проводимости канала: n-канальные и p-канальные. Тип проводимости определяется типом носителя заряда в канале: электрон либо "дырка".
Если транзистор n-канальный:
он открывается положительным напряжением на затворе по отношению к истоку.
паразитный диод в структуре канала катодом подсоединен к стоку, анодом — к истоку.
канал обычно подсоединяют так, что на стоке более положительное напряжение, чем на истоке.
Если транзистор p-канальный:
он открывается отрицательным напряжением на затворе по отношению к истоку.
паразитный диод в структуре канала анодом подсоединен к стоку, катодом — к истоку.
канал обычно подсоединяют так, что на стоке более отрицательное напряжение, чем на истоке.
Это значит, что основные носители дырки, и уменьшение тока будет при подаче на затвор плюса.