1. DDR: 184 контакта (DIMM), 200 контактов (SO-DIMM) и 172 контакта (микро DIMM).
Оперативная память DDR: выпущенная в 2000 году, она не использовалась почти до 2002 года. Она работала при 2,5 В и 2,6 В, а ее максимальная плотность составляла 128 МБ (поэтому не было модулей с объемом более 1 ГБ) со скоростью 266 МТ / с (100-200 МГц).
2. DDR2: 240 контактов (DIMM), 200 контактов (SO-DIMM) и 214 контактов (микро DIMM).
Оперативная память DDR2: запущена в 2004 году, работала при напряжении 1,8 В, что на 28% меньше, чем у DDR. Его максимальная плотность удвоилась до 256 МБ (2 ГБ на модуль). По логике, максимальная скорость также умножалась, достигая 533 МГц.
3. DDR3: 240 контактов (DIMM), 204 контакта (SO-DIMM) и 214 контактов (микро DIMM).
Оперативная память DDR3: этот выпуск состоялся в 2007 году, и это была революция, потому что здесь были реализованы профили XMP. Начнем с того, что модули памяти работали с напряжением 1,5 В и 1,65 В с базовой частотой 1066 МГц, но это пошло намного дальше, и плотность достигла 8 ГБ на модуль.
4. DDR4: 288 контактов (DIMM), 256 контактов (SO-DIMM). Больше нет DDR4 micro DIMM.
Оперативная память DDR4: напряжение снижается до 1,05 и 1,2 В, хотя многие модули работают при 1,35 В. Скорость была заметно увеличена, и каждый раз они выпускали более быструю заводскую память, но их база начиналась с частоты 2133 МГц. В настоящее время есть модули на 32 ГБ, но это возможно ещё не предел.
.
