Биполярный Транзистор. Сопротивление коллектора, эмиттера, базы. Почему они различаются?

Физически имеется только сопротивление тела базы rб.
rэ это не "сопротивление эмиттера", а динамическое сопротивление эмиттерного перехода. Оно больше rб в h21э раз, так как напряжение одно и то же, а ток вот во столько раз больше.
Никакого сопротивления коллектора нет, эта цепь совершенно не омическая. Можно говорить о выходном (внутреннем) сопротивлении (дифференциальном) . Оно действительно будет сотни колоом, так как коллекторный ток мало зависит от напряжения на коллекторе.
Можно также просто поделить напряжение на ток, но только это не будет никаким сопротивлением.

Не совсем ясно, какой схемой замещения вы пользовались. Было бы проще, если бы показали. Если это то, о чем я думаю, и сопротивление э-к равно сумме э и к сопротивлений, то непонятно, почему так много.

Так. Пусть транзистор Н-П-Н. Тогда электроны из эммитера инжектируются в базу. сопротивление для них мало. в базе они являются уже не основными носителями, т. к. там основные дырки (П-тип) . Переход База-коллектор ускоряет эти электроны и они попадают на выход. значит - сопротивление Э-К ооооочень маленькое. Дырки из базы могут бежать только в эммитер, уменьшая сопротивление Э-Б, но их на пару порядков меньше электроны. Сопротивление Б-К ооочень большое - потому что между ними барьер: электроны К не могут его преодолеть также как и дырки Б.

Возьмите хороший учебник и почитайте. Он даст вам полный обзор, а не кусочные знания. Если препод придрался, значит что-то не понимаете. Нравится учебник