Вопросик Помогите пжл... очень нужно!

ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ТРАНЗИСТОРА.

Цель работы: ознакомление со структурой и краткой зонной теорией полупроводников, теорией р-n -перехода и изучение работы транзистора.

1. КРАТКАЯ ТЕОРИЯ

1.1.Транзистор

Комбинация двух близко расположенных друг к другу p-n переходов на одном кристалле полупроводника представляет собой плоскостной полупроводниковый триод (транзистор) . Транзистор может осуществлять усиление и генерирование электрических сигналов и выполняет ряд других функций.

Различают два типа плоскостных полупроводниковых транзисторов:

n-p-n типа, p-n-p типа, которые различаются последовательностью чередования в монокристалле полупроводников областей с различным типом проводимости ( n и р ) (рис, 1).

Средняя область транзистора называется базой (Б) , одна крайняя область эмиттером (Э) , другая - коллектором (К) . Таким образом, имеется два p-n перехода: эмиттерный - между эмиттером и базой и коллекторный - между базой и коллектором. Концентрация примесей в базе всегда значительно меньше, чем в коллекторе и эмиттере.

Некоторые обозначения:

iб, iэ, iк- токи в проводах базы, эмиттера и коллектора;

Uбэ, Uкб, Uкэ- напряжения между базой и эмиттером, коллектором и базой, коллектором и эмиттером.

Рассмотрим, как работает транзистор типа n-р-n в наиболее употребительных схемах с "общим" эмиттером. Питающие напряжения E1 и E2 (рис. 2).

Полярность их такова, что на эмиттерном переходе напряжение прямое, а на коллекторном - обратное. Вольт-амперная характеристика эмиттерного перехода представляет собой характеристику диода при прямом включении, а коллекторного - подобна характеристике диода при обратном включении (рис. 2).

Принцип работы транзистора заключается в том, что прямое напряжение эмиттерного перехода (Uбэ) существенно влияет на ток коллектора: чем больше это напряжение, тем больше токи эмиттера и коллектора. При этом изменение тока коллектора лишь незначительно меньше изменения тока эмиттера. Таким образом, напряжение Uбэ (входное напряжение) управляет током коллектора. Усиление электрических колебаний с помощью транзистора основано именно на этом явлении.

Физические процессы в транзисторе происходят следующим образом. При увеличении прямого входного напряжения Uбэ понижается потенциальный барьер в эмиттерном переходе и соответственно возрастает ток через этот переход - ток эмиттера iэ. Электроны этого тока инжектируются из эмиттера в базу и благодаря диффузии проникают сквозь базу в коллекторный переход, увеличивая ток коллектора. Так как коллекторный переход работает при обратном напряжении, то в этом переходе возникают объемные заряды (рис. 10), показанные на рисунке кружками со знаками "+" и "-". Между ними возникает электрическое поле. Оно способствует продвижению (экстракции) через коллекторный переход электронов, пришедших сюда от эмиттера, т. е. втягивает электроны в область коллекторного перехода.

Если толщина базы достаточно мала и концентрация дырок в ней невелика, то большинство электронов, пройдя через базу, не успевают рекомбинировать с дырками базы, и достигают коллекторного перехода. Лишь небольшая часть электронов рекомбинирует в базе с дырками. В результате рекомбинации возникает ток базы, протекающий в проводе базы. Действительно, в установившемся режиме число дырок в базе должно быть неизменным. Вследствие рекомбинации каждую секунду сколько-то дырок исчезает, но столько же новых дырок возникает за счет того, что из базы уходит в направлении к полюсу источника Е1 такое же число электронов. Иначе говоря, в базе не может накапливаться много электронов. Если некоторое число инжектированных в базу из эмиттера электронов не доходит до коллектора, а остается в базе рекомбинируя с дырками, то точно такое же число электронов должно уходить из базы в виде тока iб. Поскольку ток коллектора получается меньше тока эмиттера, то в соответствии с первым законом Кирхгофа всегда существует соотношение между точками.

(1)

Ток баз

как усилительи как ключ...с н-п-н и п-н-п зонами, в них разные проводимости... вот с помощью подаваемого напряга мы эти зонами и управляем меняем проводимость, меняется сопротивление...а там юзай поиск ...там все подробно найдешь...

Транзистор – полупроводниковый прибор, представляет собой трёхслойный проводник с p-n – переходами, как будто соединили два полупроводниковых диода. В зависимости от типа соединения бывают двух типов: p-n-p-типа и n-p-n-типа. В работе транзистора участвуют носители заряда двух типов: отрицательные (электроны) и положительные (дырки), поэтому такие транзисторы называют биполярными. Выводы транзистора называются эмиттер и коллектор, третий вывод – база. Эмиттер – выпускает электроны, а коллектор – собирает. На основании первого закона Кирхгофа: Транзисторы находят в электронике самое разнообразное применение. Например, как усилители переменного напряжения. При усилении напряжения существует несколько схем включения транзистора. Наибольшее применение имеет схема с общим эмиттером. Переменное напряжение, которое необходимо усилить включено между базой и эмиттером. Это напряжение считается входным. Выходное напряжение представляет собой падение напряжения на резисторе нагрузки. Отношение выходного напряжения к входному представляет собой коэффициент усиления по напряжению:Очень часто применяют многокаскадные усилители, в которых несколько отдельных усилителей включаются последовательно, один за другим. Первый усилитель усиливает напряжение в К1 раз, во втором оно увеличивается в К2 и в последнем Кn раз, общее усиление равно произведению К1К2Кn. В многокаскадных усилителях можно получить можно получить очень большой коэффициент усиления напряжения.Кроме биполярных транзисторов существуют униполярные или полевые транзисторы. Полевые транзисторы имеют ряд ценных преимуществ по сравнению с биполярными. Они имеют большое входное сопротивление и могут работать с маломощным источниками входного сигнала и они более стабильны. Примечание: формулы не вставляются придётся найти самому.

катод и анод , между ними база(база в себе содержит 2 полупроводниковых перехода)...принцип действия : наличае между этими 3 частями 2х полупроводниковых переходовток течёт только в определённом направлении, за счёт разницы величин полупроводниковых переходов меняется пропускная способность транзисторов... мин и макс пределы токапроводимости..в общем в кратце так)))

чё экзамен?