Здравствуйте! Может ли у транзистора n-p-n структуры Uдоп базы= -4 V. ? Спасибо!

Что такое Uдоп? Вообще-то напряжение на электродах транзистора измеряют относительно эмиттера. Дл npn транзистора открывающим является положительное напряжение на базе и оно равно примерно напряжению на открытом диоде (то есть, обычно меньше вольта) . Если же к базе такого транзистора приложить отрицательное напряжение, то транзистор закроется и это напряжение можно поднимать и дальше, пока переход не пробьётся. Для большинства транзисторов это величина порядка пяти-шести вольт. То есть, приложить к базе напряжение минус 4 вольта вполне возможно и это не приведёт ни к каким отрицательным последствиям.
С ростом частоты коэффициент усиления транзистора уменьшается. Соответственно, с уменьшением частоты он растёт. Однако, если для современного ВЧ транзистора измерить коэффициент усиления на частоте 100 кГц, то, снизив частоту до десяти килогерц, вряд ли удастся заметить какое-нибудь увеличение коэффициента усиления. Для десяти мегагерц и десяти килогерц - да, можно будет заметить. Но не очень большое. Для других параметров сложно делать какие-то прогнозы.

Они МОГУТ отличаться. Всё зависит от того, на какой частоте измерены параметры, какая у данного транзистора граничная частота, и какая схема включения (ОБ или ОЭ).
Универсального ответа тут нет, надо смотреть справочик и сравнивать условия измерения с данными справочника.
Обычно в пределах от 0 до примерно 0,5-0,7 граничной частоты параметры меняются слабо, кроме h21 в схеме с ОЭ. Вот этот параметр начинает заметно снижаться уже начиная с 0,1-0,2 граничной частоты. И даже понятно почему: h21э с частотой падает линейно, и чтоб от сотни-другой (обычное значение) упасть до 1 - что и является признаком граничной частоты в этой схеме, или даже до 0,707 от начального значения, - достаточно уже сравнительно невысокой частоты. В несколько раз меньше граничной.

Может, поскольку напряжение базы ДОЛЖНО быть положительно относительно напряжения питания.
Например - напряжение питания -12, значит напряжение на базе, равное -4 ПОЛОЖИТЕЛЬНО.
Главное, чтобы не было перебора по допустимому напряжению между базой и эммитером, или базой и коллектором,
или коллектором и эммитером.