Вопрос 3 про Нормальный активный режим биполярного транзистора n-p-n типа. Правильно ли я понял?

Да, вы правильно поняли. В нормальном активном режиме биполярного транзистора типа n-p-n, переход коллектор-база находится в обратном смещении (закрытом состоянии). Ток от базы к коллектору не течет, а ток от коллектора к базе течет.

Ток течет через базу в эмиттер, в базу попадают носители из эмиттера, а она - тонкая, поэтому пролетают насквозь и уходят в коллектор.
А от базы к коллектору ток течёт в режиме насыщения, при этом напряжение коллектор - эмиттер минимальное

На npn база плюсовая ( позитивная) а на pnp база минусовая ( негативная) на npn база открывается если на неё подать слабый плюс и наоборот на pnp база открывается только от минуса то есть ток идет от плюсового коллектора к минусовой базе открывая сток и исток на биполярных транзисторах уже на открытом стоке и истоке нету никаких диодов или полярности как на мосфет транзисторах, на биполярных полярность есть только между базой и эмиттером или между базой и коллектором . На npn ток течет от базы к открывающимся контактам а на pnp уже течет к базе если на базе есть минус и она открыта, так же открывая другие контакты они же сток и исток колектор эмиттер, у моп мосфет транзисторов все так же только на колект-эмит переходах есть диод иногда направленый от колектора к эмитеру и наоборот.

От коллектора ЧЕРЕЗ базу течет к эмиттеру при открытом эмиттерном переходе

В нормальном активном режиме биполярного транзистора n-p-n типа переход база-коллектор находится в обратном смещении. Это значит, что положительное напряжение приложено к коллектору относительно базы.

В такой конфигурации ток от базы к коллектору (или от коллектора к базе) течет незначительно, так как обратное смещение препятствует переходу носителей заряда через этот переход. Однако, на практике наблюдается некоторый ток утечки от коллектора к базе, связанный с термической генерацией носителей заряда в базе и их диффузией через обратно смещенный переход база-коллектор.

С другой стороны, переход эмиттер-база находится в прямом смещении. Это означает, что ток эмиттер-база (или база-эмиттер) течет свободно, поскольку носители заряда (в данном случае электроны) легко переходят через этот переход из эмиттера в базу.

В результате основной ток через транзистор идет от эмиттера к коллектору, причем большую его часть составляет ток переноса, обусловленный диффузией носителей заряда из эмиттера в базу и их последующей коллекцией в коллекторе.