Техника
Коэффициент усиления биполярного транзистора.
Вот никак не пойму смысл этого коэффициента. По идее он должен показывать, во сколько ток коллектора больше тока базы. Беру транзистор МП39, смотрю - написан коэффициент "не более 12". Подключаю его в цепь и пропускаю по базе ток 0.5 мА. Замеряю ток коллектора, а он там 20 мА. Получается, что коэффициент 40. Почему так? Написано же 12. И почему вообще в ряде моделей в справочниках указывается коэффициент усиления "10 - 10000". Почему такой большой разброс и как же их тогда подбирают?
Не менее 12! Так что 40 вполне укладывается. И 10-10000 не бывает. Зачем сочиняете?
МП39 - это СПЛАВНОЙ транзистор. Технология изготовления сплавных транзисторв - это на пластинку n-типа из германия прикрепляют два кусочка галлия и расплавляют галий. При достаточно высокой температуре процесса галлий диффундирует в германий и образует области p-типа - коллектор и эмиттер.
И коэффициент передачи по току такого тразистора зависит от кучи вещей, прежде всего от расстояния между эмиттерным и коллекторным переходами. А это расстояние, в свою очередь, зависит от толщины базы, от исходной концентрации примесей в германиевой базе (уровень её легирования), от времени процесса, от температуры и от скорости её изменения (сколько времени структура нагревалась и сколько - остывала), от степени чистоты галлия... Ведь расстояние между переходами в идеале должно составлять штуки микрон, а толщина базы - доли миллиметра. То есть сотни микрон. Так что даже 1% погрешности толщины пластинки уже может привести к двукратной разнице значений эффективной ширины базы, измеренной по расстоянию между получившимися pn-переходами.
И это даже не упоминая неоднородности степени легирования германия от кристалла к кристаллу и от пластины к пластине, неидентичности температуры процесса от прибора к прибору и разброса прочих технологических факторов...
Ничего удивительного, что такой разброс параметров...
И коэффициент передачи по току такого тразистора зависит от кучи вещей, прежде всего от расстояния между эмиттерным и коллекторным переходами. А это расстояние, в свою очередь, зависит от толщины базы, от исходной концентрации примесей в германиевой базе (уровень её легирования), от времени процесса, от температуры и от скорости её изменения (сколько времени структура нагревалась и сколько - остывала), от степени чистоты галлия... Ведь расстояние между переходами в идеале должно составлять штуки микрон, а толщина базы - доли миллиметра. То есть сотни микрон. Так что даже 1% погрешности толщины пластинки уже может привести к двукратной разнице значений эффективной ширины базы, измеренной по расстоянию между получившимися pn-переходами.
И это даже не упоминая неоднородности степени легирования германия от кристалла к кристаллу и от пластины к пластине, неидентичности температуры процесса от прибора к прибору и разброса прочих технологических факторов...
Ничего удивительного, что такой разброс параметров...
открой википеди или дата шит наеб*и уже.... лентяи в жопе сидят
Ольга Тюменцева
Я про это уже читал. Я задал конкретный вопрос, а не требовал лекций по тому, что это вообще такое.
Написано не менее 12. Производство транзисторов очень сложный процесс, а у отечественных моделей всё делается чуть ли не на глаз. От того и огромный разброс параметров, и пол алфавита индексов.
При расчетах берите минимальный (если вы делаете схему с общим эмиттером)
При расчетах берите минимальный (если вы делаете схему с общим эмиттером)
ну все относительно. подайте на базу 500мА. и коэффициент у вас резко упадет.
Зачем он вам нужен. Главное, что есть не менее.... определите сами в справочнике.
ты ошибся там в квиточке на транзистор нарисовано не менее 12
подбирает на измерителе, и что здесь такого, в свое время, на платах ячеек управления памяти для эвм минск 32 стоял п416, так из пачки если подходили, штук 5, это было очень хорошо, и кстати не всех заводов подходили
Ты никогда не увидишь ртутно-кадмиевых нормальных элементов. На таких испытывались первые образцы.
Похожие вопросы
- Коэффициент усиления биполярного транзистора. Как правильно понять?
- Электроника Объяснить принцип усиления биполярного транзистора
- Объясните пожалуйста, как происходит сам процесс усиления в биполярных транзисторах?
- Почему в характеристике полевых транзисторов не указан коэффициент усиления?
- Можно ли биполярный транзистор сделать импульсным как полевой транзистор.
- И-НЕ на биполярных транзисторах
- Если в биполярный транзистор в базу будет идти очень малый ток, то транзистор будет пропускать ток который...
- В чем преимущества MOSFET-транзистора над биполярным транзистором?
- Биполярный транзистор вместо полевого
- Как происходит усиление в транзисторе? Внутри дополнение небольшое
"Коэффициент передачи тока у транзисторов МП39 редко превышает 12"