ДИОД ГАННА — полупроводниковый прибор, работа которого основана на эффекте Ганна эффекте. Основным элементом диода является полупроводниковый кристалл из арсенида галлия или фосфида индия толщиной от единиц до сотен мкм, к которому присоединены два омических контакта. Удельное электрическое сопротивление кристалла — от 0,001 до 0,01 ом/м. Эффект Ганна в возникает при достижении «критической» напряженности поля (в арсениде галлия около 300 кв/м) . Для создания промышленных диодов Ганна используют арсенид галлия. Диоды Ганна применяют для усиления и генерирования электрических высокочастотных колебаний мощностью порядка нескольких квт (в импульсном режиме) и сотен мвт (в непрерывном режиме) на частотах от 0,1 до 100 Ггц, а также для создания быстродействующих логических и функциональных элементов электронных устройств.