Вопрос про np-переход, диод и транзистор.

Question

Как известноIкэ = Iбэ * kk = коэффицент усиленияИ еще известно что сначала Iкэ от Iбэ зависит линейно но при определенном значении Iбэ, Iкэ = const Значит ли это что чем больше Iбэ тем меньше сопротивления np перехода который установлен обратно Iкэ то есть как бы одновременно происходят два процесса. С одноц стороны Iбэ разрушает переход а обратно этому перехоуд включенный Iкэ восстанавливает его и между ними есть динамическое равновесие. Если увеличить Iбэ то переход разрушится до более бедного уровня и сопротивление канала уменьшится соотвественно увеличится Iкэ. и наконец когда переход полностью разрушен Iкэ
= const.Если это так то мое следующее предположенеи должно быть верным: ВАХ диода кривая крутизна которой увеличивается. Связано ли это с тем что с увеличением U увеличивается I и из за этого переход разрушается до более бедного уровня и сопротивление перехода уменьшается соотвественно I увеличивается и от увеличения самого U и уменьшения R.

Pavel Yurevich · Accepted Answer

Чё-то фигня какая-то написана.. . Что такое "разрушает переход"? Током, если он только не выжигает всё напрчь, разрушить переход нельзя.
ВАХ диода (отдельного диода, не транзистора) экспоненциальная по жизни. Это просто следствие определённой формулы - распределение Ферми. И опять зе до тех пор, пока не начинают сказываться всякие посторонние эффекты, типа оспределённого сопротивления базы (бады диода, а не транзистора! ) и внешнего сопротивления токоподводки, эта экспоненциальность сохраняется. Без всякого разрушения.

В транзисторе с увеличением базового тока да, падает коэффициент усиления тока базы (h21). Ну там, собсно, просто проявляется некоторая зависимость этого коэффициента оттока базы. При совсем малых токах этот коэффициент тоже невелик, потом растёт, при некотором токе - максимальное значение, потом опять начинает падать, в силу разных причин (например, вероятность рекомбинации носителей базе транзистора зависит от концентрации оных, поэтому и получается нелинейный характер h21. Если б скорость рекомбинации от концентрации не зависела, усиление по току было бы постоянным) . Но никакого разрушения никаких переходов не происходит.

Юля Брод · Answer

Я вообще плохо понимаю о чем речь, т. к. для электронщиков такое описание непонятно (а если честно - это бред, за исключением правильной формулы)) . Единственно, что могу сказать - там ничего не разрушается! Вы вообще слышали об электронах и дырках? Если нет, то разбирайтесь с этим. Больше ничего не сказать не представляется возможным...

Игорь Пягай · Answer

Неправильное описание процесса. А крутизна в начальной части прямой ветви вольтамперной характеристики увеличивается, потому что увеличивается число основных носителей зарядов, имеющих энергию, достаточную для преодоления потенциального барьера. Распределение этих носителей по энергии имеет нелинейный характер, как и для распределения молекул газа, например, поэтому при линейном изменении высоты барьера количество преодолевающих его носителей, то есть ток, растет нелинейно.

Наталья Бахвалова · Answer

Всё смешалось в кучу. В теории изучаются идеализированные ВАХ, причём семейство х-к, в каждой из которой приводятся изменения одного параметра от изменения другого при неизменном третьего, потом - второго параметра от изменения третьего при постоянном первом; и параметров в схеме замещения транзистора не три штуки; разработчики практических схем работают с семейством нужных ВАХ; на основании одной ВАХ делать научные умозаключения просто не прилично.