
Опять вопрос про транзистор.
Говорят у транзистора база очень тонкая и слабо легированная поэтому при приложении прямо напряжения на эмитерный переход через коелкторный переход течет большой ток. Задается вопрос, раз ваша база такая тонкая и слаболегированная то и электроны (без напряжения эмитор-база, то есть закрытый транзистор) должны были пролететь чеез базу в коллектор НАСКВОЗЬ раз уж она такая тонкая и слаболегированная.... Устал уже от этого вранья и бреда где тот же факт в одном случае работает а вдругом нет. Ну не может эта тоненькая база препятствовать электронам при закрытом транзисторе. и еще, если даже предположить что плюс на базе тянет связанные элеткроны к себе как бы преподнимая ворота то эффект усиления бы не был. И даже если я предположим поверю что в однмо случае переход силен а в другмо слаб то всё ранво ничего не будет работать так как правокатором (причиной) движения элеткронво из эмитера в базу было напряжение на эмитер-базе значит она была настолько решающяя и раз электроны начали вдигатся из за нее то в нее и пойдут то есть ВСЕ элеткроны пойдут через базу и в коллектор НЕ пойдут. Вообщем вот это все можете мне нормально обьяснить?