Насколько можно понизить тайминги ddr3 1600 11 11 11 28, для стабильной работы? И насколько можно повысить частоту?

Процентов 60 модулей памяти DDR3-1600MHz CL11 (реальная 800MHz) позволяют снизить тайминги до CL9 или CL10, но это зависит от самой памяти и напряжения, косвенно ещё от материнки и контроллера памяти в процессоре. Хорошая (оверклокерская) память 1600MHz и до CL8 (8-8-8-22) или ниже позволит опустить тайминги, какая-то память 1600MHz на CL10 при 1.5V сможет работать, а бывает и вовсе отстойная память (попадалась такая под брендом NCP) - ни в какую не хочет работать на сниженных таймингах, или только при повышении напряжения. Тут нужно смотреть маркировку памяти в SPD (CPU-z или Aida64 в помощь), гуглить и искать результаты разгона для конкретно этой памяти.
Поднять частоту DDR3 можно и до 2400MHz и даже до 2933MHz в отдельных случаях, но это зависит от вышеназванных факторов, ведь что снижение таймингов, что поднятие частоты все это разгон.
Мой последний c DDR3 опыт: набор из 4 модулей - двух новых (на начало 2017г) 4GB 1600 CL11 + два старых (2010г) 2GB 1333 CL9, все дешевые OEM-ные от самсунга - вместе заработали на 1866MHz 9-10-9-27 2T (остальное на авто) при 1.57V, дальше гнать было жаль времени. Полагаю, как минимум треть модулей памяти способны работать с такими настройками, особенно те, что выпущены после 2014г, после прихода в широкие массы DDR3L 1.35V, у них частотный потенциал выше, рабочие напряжения ниже, сами кристаллы лучше. У меня были и другие варианты DDR3, от других производителей (маркировку уже не вспомню), из дешевой oem-ной памяти ни одна пара модулей так хорошо не гналась как последние.
P.S. разгон памяти - это длительный процесс подбора настроек и тестирования, каждый модуль имеет свой разгонный потенциал, придется много времени потратить на изучение, а меня прошу не мучать - уже давно переехал на DDR4-3000 где разгон напоминает кукурузу.