можно ли спаять два мощных диода и получить мощный транзистор (ключь) р-п +п-р ?

Саша, не работал он как транзистор, и не заработает никогда! Теорию хоть почитайте.
База (зона n-проводимости) должна быть исключительно тонкой, порядка микрометров, чтобы дырки через неё могли пролелать, а у вас провода сантиметровые. И не говорите мне, что провода у вас в микрон - внутри диода контакты всё равно порядка нескольких миллиметров.

Нет. Транзистор, это трехслойная структура с двумя p-n переходами и физика происходящих в нем процессов не эквивалентна соединению двух диодов. На вскидку не объясню, слишком давно изучал физику полупроводников и по роду работы не имею с этим дело. Но суть работы транзистора в том, что малый ток поданный на базу или затвор, регулирует большой ток между эммитером и коллектором (истоком-стоком) , а диод просто обладает односторонней проводимостью.

из двух диодов транзистор ну никак не выйдет

Принцип действия транзистора

В активном режиме работы транзистор включён так, что его эмиттерный переход смещён в прямом направлении (открыт) , а коллекторный переход смещён в обратном направлении. Для определённости рассмотрим npn транзистор, все рассуждения повторяются абсолютно аналогично для случая pnp транзистора, с заменой слова «электроны» на «дырки» , и наоборот, а также с заменой всех напряжений на противоположные по знаку. В npn транзисторе электроны, основные носители тока в эмиттере, проходят через открытый переход эмиттер-база (инжектируются) в область базы. Часть этих электронов рекомбинирует с основными носителями заряда в базе (дырками) , часть диффундирует обратно в эмиттер. Однако, из-за того что базу делают очень тонкой и сравнительно слабо легированной, большая часть электронов, инжектированных из эмиттера, диффундирует в область коллектора. Сильное электрическое поле обратно смещённого коллекторного перехода захватывает электроны (напомним, что они — неосновные носители в базе, поэтому для них переход открыт) , и проносит их в коллектор. Ток коллектора, таким образом, практически равен току эмиттера, за исключением небольшой потери на рекомбинацию в базе, которая и образует ток базы (Iэ=Iб + Iк) . Коэффициент α, связывающий ток эмиттера и ток коллектора (Iк = α Iэ) называется коэффициентом передачи тока эмиттера. Численное значение коэффициента α 0.9 — 0.999. Чем больше коэффициент, тем эффективней транзистор передаёт ток. Этот коэффициент мало зависит от напряжения коллектор-база и база-эмиттер. Поэтому в широком диапазоне рабочих напряжений ток коллектора пропорционален току базы, коэффициент пропорциональности равен β = α / (1 − α) =(10 − 1000). Таким образом, изменяя малый ток базы, можно управлять значительно большим током коллектора.

*
Нормальный активный режим
Переход эмиттер-база включен в прямом направлении (открыт) , а переход коллектор-база — в обратном (закрыт)

Инверсный активный режим
Эмиттерный переход имеет обратное включение, а коллекторный переход — прямое.

Режим насыщения
Оба p-n перехода смещены в прямом направлении (оба открыты) .

Режим отсечки
В данном режиме оба p-n перехода прибора смещены в обратном направлении (оба закрыты) .

Так что из двух диодов никак не получится транзистор

Да! А если ведро воды температурой +20 градусов смешать с ведром воды +20 градусов, то получится два ведра +40....Я плакаль...

ну ты извращенец....