Вопрос по радиотехнике

Ну хорошо.
В обычный полупроводник добавляют атомы, легко отдающие электроны (доноры) - возникает полупроводник с n-проводимостью (электронной проводимостью) или атомы, жадные прихватить электрон соседа-атома полупроводника (акцепторы) . У того возникает нехватка электрона - дырка, в нее легко может перепрыгнуть электрон соседнего атома - по полупроводнику начинает путешествовать нехватка электрона - дырка, которая ведет себя как положительный заряд, проводимость такого проводника называется дырочной (p-проводник) .
Если мы состыкуем p- и n-полупроводники, на их границе электроны заполнят дырки, возникнет плохо проводящий слой (p-n переход) . Но так как один полупроводник заберет часть свободных электронов чужого, а тот - часть свободных дырок первого, в промежуточном слое возникнет напряжение, препятствующее дальнейшему взаимопроникновению. Приложив дополнительное внешнее напряжение, мы можем управлять толщиной этого плохо проводящего слоя, делать его шире или уже и изменять этим сопротивление p-n перехода. Мы получили полупроводниковый диод - в зависимости от полярности и величины приложенного напряжения его сопротивление мало или велико. Иначе говоря, он хорошо проводит ток только в одном направлении.
Поместив рядом два p-n перехода навстречу друг другу, мы получаем биполярный транзистор. Приложим к кристаллу с этими переходами напряжение. Один переход (эмиттер-база) будет работать в прямом направлении, другой (база-коллектор) - в обратном. Ток от эмиттера к коллектору пройти не сможет. Но если мы приложим к переходу эмттер-база хотя бы небольшое напряжение в прямом направлении, в нем потечет ток. Забравшиеся в средний слой (базу) и добравшиеся до соседнего перехода заряды увеличат проводимость второго перехода, через весь транзистор потечет ток. Причем попавшие в базу заряды при малой толщине базы уйдут в основном через второй переход. Получится, что открытый переход в основном служит для впуска зарядов в базу, но уходят они в основном через второй переход. Так сказать, коллектор "сманивает" попавшие в базу заряды. Маленький, легко создаваемый ток через переход эмиттер-база создает гораздо больший "нелегальный" ток через переход база-коллектор, к тому же на колекторе может быть гораздо большее напряжение. Ток в цепи эмиттер-коллектор пропорционален току в цепи эмиттер-база, но гораздо больше его. Транзистор работает как управляемый источник тока.
Это биполярный транзистор. Есть еще полевые транзисторы, когда p-n переход охватывает проводящий канал и в зависимости он напряжения на p-n переходе, делающего его тоньше или толще, проводящий канал делается шире или уже, то есть его сопротивление меняется. Тут принцип работы даже проще, хотя технологически хорошие транзисторы сделать несколько сложнее, поэтому они получили широкое распространение позже, чем биполярные.

Фишка-они полупроводники. Без фотонов ток не пропускают. Переменное напряжение не катит. Триод освещают только базу-n-область. Усиление в цепи эмиттера. Чтобы пропускали ток нужно нагреть осветить или дать маленький ток.

ВВВ. cultinfo.ru/fulltext/1/001/008/126/093.htm
поиск рулит !!!

может сейчас откройте учебник или энциклопедию, и прочитайте внимательнее!