Какие аналоги в мире Кремниевой долины? (Кроме Сколково)

Аналоги Кремниевой долины

Бостон, штат Массачусетс -Территория вдоль дороги 128 – «Восточная кремниевая долина» – крупнейший реципиент венчурных капиталов после Bay Area Сан-Франциско;

Остин, штат Техас - Dell Comp. и около 2 тыс. других хай-тек компаний
Нью-Йорк, штат Нью-Йорк - Кремниевая аллея – трехмильная полоса земли, простирающаяся от супермодного квартала района Челси до его южной оконечности;

Солт-Лейк-Сити, штат Юта - В окрестностях хай-тек компаний больше, чем ресторанов быстрого питания:

Сиэтл, штат Вашингтон -Microsoft, Amazon.com...

Вашингтон, округ Колумбия -В пригородах Вирджинии количество IT-работников сравнимо с их количеством в Сан-Хосе;

Бангалор, Индия - "Рассадник" программистов;

Тель-Авив, Израиль - Здесь размещаются хорошо известные в мире телекоммуникационные компании, компании, специализирующиеся на обработке данных, и сотни других хай-тек компаний;

Кембридж, Англия -Технопарк вокруг Кембриджского университета;

Научно-промышленный парк Хсинчу (Hsinchu), Тайвань -Компании Umax Data Systems, Acer и крупнейшие в мире производители полупроводников.

Вся Япония и Южная Корея. Китай скоро попрет. А потом и в Сколково ПЕЙДЖЕР придумают...

Зеленоградская "Силиконовая долина"
Адрес :город Москва, Зеленоградский АО, Крюково (~Округ) , точность 30 м
Описание
которое Изменить может каждый
Поделиться…

В народе имет несколько названий :Поле Чудес; Силиконовая Долина.

Недостроенный Центр микроэлектроники --Предпосылки

К концу 50-х годов прошлого столетия технология сборки радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) из дискретных элементов исчерпала свои возможности. Мир пришел к острейшему кризису РЭА, для его преодоления требовались радикальные меры. В СССР электронная промышленность выделяется в самостоятельную отрасль (Госкомитет по электронной технике — ГКЭТ, преобразованный затем в Минэлектронпром — МЭП) во главе с министром Александром

Ивановичем Шокиным.

www.computer-museum.ru/histus.../histussr/nc_zel_2.htm

К этому времени и в СССР, и за рубежом уже созрели предпосылки для создания полупроводниковых и гибридных интегральных схем (ИС) — были промышленно освоены интегральные технологии производства как полупроводниковых приборов, так и толстопленочных и тонкопленочных керамических плат. Вопрос был лишь в том, кого первым озарит счастливая идея использовать их для изготовления много- элементных изделий — ИС. Первыми оказались Д. Килби из Texas Instruments (TI) и Р. Нойс из Fairchild Semiconductor ( США ). В 1958 году они изготовили макеты ИС: Килби на германии, Нойс — на кремнии.

В 1959 году группа молодых разработчиков КБ Рижского завода полупроводниковых приборов (Карнов, Осокин, Пахомов) создала образцы германиевых ИС — логические элементы «2 ИЛИ-НЕ» . К 1963 году была разработана первая технологическая линейка для изготовления бескорпусных ИС «Р12- 2». Три-четыре таких ИС помещали в металлический модуль и заливали компаундом. В середине 60-х годов их выпуск достиг 300 тыс. , штук в год. В том же 1959 году работы по созданию германиевых ИС начались и в НИИ-35 (НИИ «Пульсар» , Москва) . В начале 1961 года в НИИ-35 был организован отдел ИС, который возглавил Б. В. Малин. Однако германий для ИС оказался не перспективен. Это быстро поняли и в TI, и в НИИ-35 и перешли на планарный кремний. В августе 1961 г. группу молодых специалистов НИИ-35 (Б. В. Малин, В. А. Стружинский и А. Ф. Трутко) направили на стажировку в США для изучения планарной технологии.

Примерно тогда же появились и гибридные ИС (ГИС) . В СССР разработкой гибридной технологии занималось СКБ-2 ГКЭТ в Ленинграде.

В то время ИС и ГИС часто называли твердыми схемами. Причем специалисты прогнозировали, что наиболее интенсивно развиваться будут именно ГИС. Особые надежды возлагались на тонкопленочную технологию: на ее основе предполагали формировать и активные элементы — тонкопленочные диоды и транзисторы. Но прогнозы не оправдались, более перспективными оказались полупроводниковые ИС.