Существуют-ли транзисторы с большим прямым сопротивлением эмиттерного перехода?

Чем больше коэффициент усиления транзистора, тем больше сопротивление эмиттерного перехода. Если нужно именно напряжение менее вольта, тогда придётся обойтись обычным транзистором. Если допустимы вольта полтора, то можно поискать составной транзистор, его сопротивлением может быть больше. Для увеличения входного сопротивления можно уменьшать рабочий ток коллектора. Ведь сопротивление прямосмещённого перехода (в омах) примерно равно 25/Iэ (mA). Это если со стороны эмиттера (скажем, в схеме с общей базой) . А если со стороны базы, то в коэффициент усиления раз больше. Скажем, выбрали ток эмиттера равным 1 мА, получим сопротивление перехода со стороны эмиттера, равное 25 Ом. А если коэффициент усиления по току равен тысяче (вполне реальная цифра для хороших транзисторов) , то сопротивление со стороны базы будет равно 25 килоом. А проще для повышения сопротивления ввести в эмиттер резистор. Да, упадёт усиление каскада по напряжению, но зато сразу позволит увеличить входное сопротивление в десятки, а то и сотни раз.

Полевые транзисторы. С p-n затвором или с МОП-затвором. С МОП затвором вообще будут тераомы.
Если говорить об обычных биполярных, то повышение входного сопротивления достигается соединением пары-тройки транзисторов по схеме составного транзистора, иногда это делается прямо на кристалле, но до полевых транзисторов таким все равно далеко.

Да, мне встречались в какой то (уже не помню) автомагнитоле.