В чём отличие JFET от MOSFET транзисторов? Мне нужно не внутренние отличие, а отличие выполняемых свойств.

У JFET существует начальная проводимость, и запираются они подачей напряжения обратной полярности относительно истока.
По свойствам очень похоже на лампу-триод.
Мосфеты тоже разные есть. Например, depletion mode (с обедненным каналом) работают практически так-же как JFET, и тоже имеют начальную проводимость.

"JFET имеет более высокий коэффициент усиления (крутизны), чем MOSFET, а также низкий уровень шума, и поэтому используется в некоторых малошумящих, с высоким входным импедансом ОУ. "
С изолированным затвором более современные.

MOSFET лучше, чем JFET. Очень подробно не разбирался в сравнении их друг с другом, но точно знаю, что существует такое понятие как "эффект Миллера". Так вот, из-за больших емкостей между электродами именно JFET подвержен гораздо больше ему. Например, при разработке усилителя переменного тока на высоких частотах свыше 100кГц сток-затворная ёмкость будет иметь нехилые сопротивления (как минимум сотни Ом, а дальше по частоте - ещё выше), это скажется отрицательно, что логично, на усилении сигнала. Ещё у ПТ с затвором в виде p-n-перехода (JFET) есть штука под названием "ток ударной ионизации", т.е. ток утечки затвора, с которым сложно совладать в схемах с немаленьким напряжением питания. Хотя, как уже и написали, крутизна (передаточная проводимость) у JFET лучше, чем MOSFET, так что в усилителях они будут лучше, но во всём другом - всё же нет. Хотя усилители лучше на БТ собирать, а не на любом из ПТ, но это уже так, логическое развитие ответа на вопрос.