Техника
Управление затвором mosfet транзистора
В регуляторе мощности на м/схеме NE555 (ШИМ генератор) и полевом транзисторе IRL3705, работающем на частоте около 7 кГц, фронты импульсов имеют длительность около 4 мксек.Транзистор греется при длительной работе на активную нагрузку. Возможно-ли сделать фронт круче без использования драйверов и буферных каскадов?
Как забавно звучит вопрос, конечно. Очень похожий вопрос тут недавно задавал один ребёнок, хотел подключить динамик к линейному выходу, и спрашивал, можно ли его заставить играть громко без усилителей и "всяких там схем".
Фронты можно сделать круче либо выбором полевика с меньшей ёмкостью затвора, либо увеличением зарядного тока затвора, то есть повышением управляющей им мощности. Тут уже без дополнительных каскадов не обойтись.
Выходной ток у таймера NE555 — порядка 100-200 мА. Типовые драйверы для мосфетов же способны обеспечивать импульсный выходной ток порядка единиц ампер. Вот и прикинь, насколько различается выходное сопротивление оконечного каскада в этих типах микросхем.
Раз уж ты заморочился и измерил длительность фронтов (Кстати, а что же это за фронты? Управляющего сигнала на затворе? Напряжения на нагрузке?), то хоть бы указал мощность/ток нагрузки, характер этой нагрузки (Лампочка, светодиоды, нагревательный элемент, DC-DC или импульсный трансформатор?), напряжение питания её и управляющей цепи, температуру нагрева транзистора и площадь радиатора, на котором он уже установлен.
Нагрев можно снизить самыми разными способами, в зависимости от условий, которые ты, конечно, не указал.
Сходу можно предложить увеличить площадь радиатора. А ещё снизить частоту ШИМ. Меньше частота — меньше переключений в секунду, то бишь моментов, в которые выделение энергии на транзисторе максимально.
Фронты можно сделать круче либо выбором полевика с меньшей ёмкостью затвора, либо увеличением зарядного тока затвора, то есть повышением управляющей им мощности. Тут уже без дополнительных каскадов не обойтись.
Выходной ток у таймера NE555 — порядка 100-200 мА. Типовые драйверы для мосфетов же способны обеспечивать импульсный выходной ток порядка единиц ампер. Вот и прикинь, насколько различается выходное сопротивление оконечного каскада в этих типах микросхем.
Раз уж ты заморочился и измерил длительность фронтов (Кстати, а что же это за фронты? Управляющего сигнала на затворе? Напряжения на нагрузке?), то хоть бы указал мощность/ток нагрузки, характер этой нагрузки (Лампочка, светодиоды, нагревательный элемент, DC-DC или импульсный трансформатор?), напряжение питания её и управляющей цепи, температуру нагрева транзистора и площадь радиатора, на котором он уже установлен.
Нагрев можно снизить самыми разными способами, в зависимости от условий, которые ты, конечно, не указал.
Сходу можно предложить увеличить площадь радиатора. А ещё снизить частоту ШИМ. Меньше частота — меньше переключений в секунду, то бишь моментов, в которые выделение энергии на транзисторе максимально.
что за нагрузка ?
повышением частоты, что усилит нагрев
радиатор к нему прикрути!
радиатор к нему прикрути!
NE555 не предназначена для управления mosfet ом. Там нужно биполярник добавить, емнип
Похожие вопросы
- В чем преимущества MOSFET-транзистора над биполярным транзистором?
- В чём отличие JFET от MOSFET транзисторов? Мне нужно не внутренние отличие, а отличие выполняемых свойств.
- подскажите пожалуйста марки транзисторов с управлением по аноду (на електрод управления подается "-") малой или средней
- Для чего транзистор с изолированный затвором ? в чем сопственно разница обычного полевика и такого МДП транзистора?
- Силовой ключ MOSFET
- Чем отличаются база, затвор и управляющий электрод? Существует ли тиристор с затвором, а не упраляющим электродом ?
- как обозначается в даташитах напряжение на затворе при котором транзистор полностью открыт?
- Как раскачать полевой транзистор
- Верно ли выражение "тиристоры для управления переменным током, а транзисторы для управления постоянным" ? Да нет почему
- Как работает транзистор в режиме лавинного пробоя ?