Как работает транзистор? объясните.

также как водопроводный кран, только течет не вода а ток

Как работает радиолампа знаешь? Так вот он совсем не так.

Какой транзистор? Их много разных типов - биполярные, полевые с полупроводниковым и изолированным затвором, однопереходные....
Если биполярный, то принцип такой: заряды, как в обычном диоде при прямом включении, текут из эмиттера в базу, но попав в базу, они решают не тащиться по длинной и тонкой базе, а перебраться в граничащий с ней коллектор, Поэтому ток из эмиттера идет в основном в коллектор, но при этом пропорционален току через подключенный к базе провод, в который попадает только небольшая часть выбравшихся из эмиттера зарядов.

Биполярный транзистор это два диода-соседа, маленький и большой. Большой диод тырит почти все электроны (или дырки) у маленького. За счёт этого ток через большой диод (коллектор) намного больше, чем через маленький (базу). Получается усиление по току. А если на коллектор поддать побольше напряжения, вольт шестьдесят, то получим в качестве бонуса ещё и усиление по напряжению.

Про полевой я и сам плохо знаю, их там целая куча разных. В общем, три ноги. В две из них (исток и сток) подаётся большое напряжение, которое пропускается по узенькой тропиночке.

Маленькое напряжение пускается на затвор, которое устраивает засаду на этой тропинке. Опять получается усиление. Причём, тут оба тока вообще могут не смешиваться. Малый из засады шугает большой своей "аурой" - электрическим полем.

)

Транзисторы - полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний. Различают два вида транзисторов: биполярные и полевые.
Добавление некоторых примесей к кремнию или германию, из которого изготавливают транзисторы, увеличивает его способность проводить электрический ток, изменяя его кристаллическую структуру. Кремний с примесью бора называется кремнием p-типа (от positive - положительный), поскольку в его кристаллической решетке не хватает электронов. Кремний с примесью фосфора содержит избыток свободных электронов и называется кремнием n-типа. На поверхности обеих сторон пластинки кремния наплавляют шарики примесных элементов. При нагревании до строго определенной температуры происходит диффузия (проникновение) примесных элементов в толщу пластинки полупроводника. В результате в толще пластинки возникают две области, противоположные ей по электропроводимости. Пластинка германия или кремния p-типа и созданные в ней области n-типа образуют транзистор структуры n-p-n, а пластинка n-типа и созданные в ней области p-типа — транзистор структуры p-n-p .

Независимо от внутренней структуры транзистора его пластинку исходного полупроводника называют базой (Б), противоположную ей по электропроводимости область меньшего объема — эмиттером (Э), а другую такую же область большего объема — коллектором (К). Эти три электрода образуют два p-n перехода: между базой и коллектором — коллекторный, а между базой и эмиттером — эмиттерный. Каждый из них по своим электрическим свойствам аналогичен p-n переходам полупроводниковых диодов и открывается при таких же прямых напряжениях на них.

Ток в цепи эмиттер-коллектор возникнет, если концентрация неосновных носителей заряда гораздо меньше концентрации основных. В этом случае ток неосновных носителей настолько мал, что его можно не учитывать. Однако ток коллекторного перехода ЭК можно резко увеличить, повысив концентрацию неосновных носителей в базе, если их туда инжектировать (впрыснуть) из эмиттера.

Для этого необходимо движение носителей зарядов через эмиттерный переход. Для начала инжекции зарядов нужно подключить положительный полюс к n-области базы (npn) и отрицательный - к p-области эмиттера.

При прохождении базы электроны могут рекомбинировать, в следствие чего создается ток "эмиттер-база". С этой целью толщина базы делается меньше длины дрейфа носителей заряда за время жизни. Таким образом большая часть инжектированных носителей успевает достичь перехода "коллектор-база" и втягивается электрическим полем в коллектор. Через транзистор начинает течь ток.

Если напряжение с пары база-эмиттер снимается, электроны перестают втягиваться в область между коллектором и эмиттером, проводящий канал разрушается и транзистор перестает пропускать ток - "выключается". Таким образом, транзистор может находиться в двух состояниях - "включено" и "выключено". Такое "двоичное" поведение транзистора используется при обработке информации в компьютере.

Движущихся частей в транзисторах нет, переключение из выключенного состояния во включенное и обратно происходит с помощью управляющего тока на эмиттереэлектрических сигналов. Включение и выключение транзисторов лежит в основе работы процессоров.

Устройство, имеющее, подобно транзистору, два состояния, может быть названо двоичным. Включенное состояние транзистора можно обозначить единицей, а выключенное - нулем. Последовательностями и наборами нулей и единиц, вырабатываемых множеством транзисторов, можно представлять буквы, числа, цвета и графические объекты. Такой принцип называется двоичным представлением и используется в цифровой технике для хранения и передачи информации.

как водопродный кран
МАЛО ОТКРУТИЛ - слабая струйка воды
СИЛЬНО ОТКРУТИЛ - много воды

Небольшие изменения потенциала базы позволяют управлять большими изменениями коллекторного тока... Это так в самом общем виде принцип усиления транзистора.

дырки туда-сюда носятся...)

соберите схему типа этой. FR1 - фоторезистор и т. п. а потом попробуйте без транзистора