как работает транзистор и как им управляют...

Регулируя напряжение на базе транзистора его или открывают или запирают.

Ток бывает постоянный, импульсный и переменный. Итак чем же они отличаются? Проведем несколько простых экспериментов, чтобы на их сути понять различие между каждым видом тока. Рассмотрим импульсный ток.
Нам понадобится простой скотч, 20 метров провода (от 0,5), мощный неодимовый цилиндрический магнит и источник постоянного тока. (БП, АКБ.. на 5-12 вольт) Наматываем проволоку на скотч, Берем магнит, один вывод от АКБ на катушку, а вторым касаемся второго вывода и наблюдаем за поведением магнита. Мы заметим, что в зависимости от полярности магнита, он будет совершать только одно движение. Например при касании вывода катушки он будет только втягиваться внутрь. Если Вы поменяете выводы АКБ или перевернете магнит, Вы заметите что теперь он наоборот только выталкивается из катушки. Т. е. если Вы будете касаться обмотки катушки 50 раз в секунду с помощью прерывателя постоянного тока или например с помощью полевого транзисторного ключа, Вы создадите импульсный ток, т. е. ток который имеет пульсации только одного направления, имитируя либо только выталкивание магнита либо только втягивание магнита в катушку. Т. е. импульсный ток это ток, который не меняется по направлению, но меняется по величине. Как же сделать так, чтобы магнит внутри катушки совершал не только одно из движений, а два движения последовательно? Т. е. выталкивался и следом втягивался в катушку? Вам нужно менять выводы от АКБ местами. Это как если бы Вы батарейку вращали между выводами Вашей катушки, следствием чего было бы втягивание и выталкивание магнита из нее. Т. е. батарейка, вращаясь между выводами катушки, попеременно их касаясь клеммами создаст как раз таки переменный ток, т. е. ток, который меняется и по направлению и по величине. Можно рассмотреть ту же самую ситуацию рассматривая то, что называют "правилом Ленца". Если вставить в катушку магнит, ток будет одного направления, если вытащить магнит из нее, ток будет уже другого направления. Если добавить на катушку еще одну обмотку, то можно получить ситуацию, когда всовывая магнит в катушку мы получаем ток одного направления работает одна катушка, а когда высовываем того же самого направления - работает другая катушка. В этом случае мы получим уже импульсный ток. Но как правило во многих конструкциях магнит вращается внутри катушки, создавая переменный ток с частотой вращения.

Теперь усложним задачу. Возьми любой трансформатор, например 12/220 вольт. Сообрази аккумулятор на 12 вольт, далее минус прицепи к одному выводу первичной обмотки. На вторичную прицепи вольтметр. Второй вывод аккумулятора т. е. плюс, начни быстро прикладывать к другому выводу первичной обмотки - фактически ты будешь прерывать цепь постоянного тока с частотой касания провода. Наблюдай за вольтметром. Вот это и есть то что называют импульсным током. Если ты будешь прерывать цепь постоянного тока 50 раз в секунду, например с помощью силового ключа на полевом транзисторе или иного механического прерывателя это и будет промышленная частота 50 гц.
Допустим имеется простейший колебательный контур который питается постоянным током. Этот постоянный ток замыкается через коллектор эмиттерный переход и не течет. Как только в тело базы, т. е. область между коллектором и эмиттером входит через резистор управляющий сигнал, канал проводимости эмиттер коллектор начинает проводить, деформируя или не полностью прерывая постоянный ток в ИМПУЛЬСНЫЙ. PNP структурные транзисторы деформируют (не полностью прерывают) положительный потенциал относительно постоянного отрицательного. NPN структурные наоборот деформирует отрицательный потенциал относительно постоянного положительного.

ru.wikipedia.org/wiki/Транзистор

Хорошо работает ---а управляют им просто....

что тебе наставники не рассказали
лампы управляются напряжением транзисторы током
эмиттер включён в цепь прямо а коллектор обратно
усиление происходит из за разницы площадей эмиттера и коллектора во сколько раз площадь коллектора больше площади эмиттера
тут уж больно кучеряво нарисовано люди явно не понимают что почём только отписка
просче надоть просче
транзистор грубо говоря состоит из 2-х батарек
поскольку состоит из полупроводников у которых много электронов у друго мало
и вот эти блин электроны стремятся выровнять это количество по массе
и тут по закону фарадея
и появляются батарейки
эмиттер с базой одна батарейка
коллектор с базой другая батарейка
и вот тут в эмиттер с базой внешнюю батарейку включаем последователь и ток пошёл вроде бы так но коллектор с базой внешнюю батарейку включаем противоположно и получается
что одноимённые заряды электронны и ионы отталкиваются и ток тютю
но блин тут другой случай возникает поскольку электрическое поле коллектора во много больше чем поле базы и тут эти гады электроны устремляются в коллектор и в цепи эмиттер коллектор возникает ток и толечко малая доля уходит в базу коллектор сжирает
и вот тут во сколько раз площадь больше площади эмиттера во столько раз ток в коллекторе появляется по сравнению с током эмиттер база

Грубо говоря так:
Для напряжения эмитер-коллектор переход база-коллектор имеет обратное включение.
Этому напряжению нужно:
1) вырвать электроны из рекомбинированных дырок базы;
2) запихнуть их на заполненные валентные оболочки коллектора.
Так вот напряжения эмитер-коллектор и на то и на другое не хватает, а хватает только, чтобы запихнуть в коллектор.
А напряжение база-эмитер помогает напряжению база коллектор вырвать электроны из рекомбинированных дырок базы.

А почему эти электроны не уходят (почти) в базу, а уходят в коллектор? А потому, что базовый слой плоский и у него путь на коллектор получается короче, чем путь на выход из базы.
И пока электроны будут идти по длинному пути на выход из базы на них действует электрическое поле коллектора и они уходят в коллектор по короткому пути.

Транзистор — повсеместный и важный компонент в современной микроэлектронике. Его назначение простое: он позволяет с помощью слабого сигнала управлять гораздо более сильным.

В частноти, его можно использовать как управляемую «заслонку»: отсутствием сигнала на «воротах» блокировать течение тока, подачей — разрешать. Иными словами: это кнопка, которая нажимается не пальцем, а подачей напряжения. В цифровой электронике такое применение наиболее распространено.

Транзисторы выпускаются в различных корпусах: один и тот же транзистор может внешне выглядеть совершенно по разному. В прототипировании чаще остальных встречаются корпусы:

TO-92 — компактный, для небольших нагрузок
TO-220AB — массивный, хорошо рассеивающий тепло, для больших нагрузок

Обозначение на схемах также варьируется в зависимости от типа транзистора и стандарта обозначений, который использовался при составлении. Но вне зависимости от вариации, его символ остаётся узнаваемым.

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы (BJT, Bipolar Junction Transistors) имеют три контакта:

Коллектор (collector) — на него подаётся высокое напряжение, которым хочется управлять
База (base) — через неё подаётся небольшой ток, чтобы разблокировать большой; база заземляется, чтобы заблокировать его
Эмиттер (emitter) — через него проходит ток с коллектора и базы, когда транзистор «открыт»

Основной характеристикой биполярного транзистора является показатель hfe также известный, как gain. Он отражает во сколько раз больший ток по участку коллектор–эмиттер способен пропустить транзистор по отношению к току база–эмиттер.

Например, если hfe = 100, и через базу проходит 0.1 мА, то транзистор пропустит через себя как максимум 10 мА. Если в этом случае на участке с большим током находится компонент, который потребляет, например 8 мА, ему будет предоставлено 8 мА, а у транзистора останется «запас». Если же имеется компонент, который потребляет 20 мА, ему будут предоставлены только максимальные 10 мА.

Также в документации к каждому транзистору указаны максимально допустимые напряжения и токи на контактах. Превышение этих величин ведёт к избыточному нагреву и сокращению службы, а сильное превышение может привести к разрушению.
NPN и PNP

Описанный выше транзистор — это так называемый NPN-транзистор. Называется он так из-за того, что состоит из трёх слоёв кремния, соединённых в порядке: Negative-Positive-Negative. Где negative — это сплав кремния, обладающий избытком отрицательных переносчиков заряда (n-doped), а positive — с избытком положительных (p-doped).

NPN более эффективны и распространены в промышленности.

PNP-транзисторы при обозначении отличаются направлением стрелки. Стрелка всегда указывает от P к N. PNP-транзисторы отличаются «перевёрнутым» поведением: ток не блокируется, когда база заземлена и блокируется, когда через неё идёт ток.
Полевые транзисторы

Полевые транзисторы (FET, Field Effect Transistor) имеют то же назначение, но отличаются внутренним устройством. Частным видом этих компонентов являются транзисторы MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor). Они позволяют оперировать гораздо большими мощностями при тех же размерах. А управление самой «заслонкой» осуществляется исключительно при помощи напряжения: ток через затвор, в отличие от биполярных транзисторов, не идёт.

Полевые транзисторы обладают тремя контактами:

Сток (drain) — на него подаётся высокое напряжение, которым хочется управлять
Затвор (gate) — на него подаётся напряжение, чтобы разрешить течение тока; затвор заземляется, чтобы заблокировать ток.
Исток (source) — через него проходит ток со стока, когда транзистор «открыт»

N-Channel и P-Channel

По аналогии с биполярными транзисторами, полевые различаются полярностью. Выше был описан N-Channel транзистор. Они