Техника

Поясните параметры транзистора, изучаю транзисторы нужна помощь в освоении параметров при выборе онных..

возмем в пример транзистор 2N5551

Характеристики транзистора 2N5551

1 Структура - n-p-n
2 Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В
3 Напряжение коллектор-база, не более: 180 В
4 Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
5 Ток коллектора, не более: 0.6 А
6 Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт
7 Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 80 до 250
8 Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
9 Корпус: TO-92

тут я описал свои понятия по каждым параметрам .. скорректируйте пожалуйста если что то не так понял ...

1. направление напряжения положительное отрицательное

2 это максимальное напряжение которое может пропускать транзистор 160В через колектор в эмитер

3 вот этот момент не понятен почему коллектор-база? как они связанны на базу подается 6v причем тут
180В ??

4 напряжение эмитор база это я так понял напряжение которое подается для открытия транзистора
чтобы пропустить <= 160В

5 максимальный пропускной ток 0,6A к примеру если пустить 160В 0,5A то все ок .. но если больше 0,6 то
транзистор сгорит

6 непонятно
7 непонятно

8 режим работы с выше 100 МГц транзистор не будет работать
Ruslan Batabaev
Ruslan Batabaev
217
По 8 пункту Его нормальная рабочая частота 100выше может работать с большим перегревом и нестабильно с меньшими показателями
Жанна Ахмерова
Жанна Ахмерова
71 576
Лучший ответ
Для начала - ЭМИТТЕР.... ну и купи справочник, там все описывается....
7) Коэффициент бета: отношение тока коллектора к току базы, β=IК/IБ
А вообще Фулс Дай всё описАл...
Vladimir
Vladimir
94 041
1.правильное напряжение на коллекторе...
Ирина Пронина напряжение статично- оно никуда не движется и не может пропускаться. Поэтому---
2. напряжение (прямое) которое может быть подано на транзистор... (не больше).
1 Структура - n-p-n → Эмиттер на минус, коллектор на плюс. Усиливать будет при плюсе на базе.
2 Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В - тут буквально, ничего тут мудрить не надо. Напряжение не пропускается никуда, напряжение только прикладыватся между коллектором и эмиттером. Зачем мудрить с пропусканием каким то?
3 Напряжение коллектор-база, не более: 180 В → какие 6 вольт на базу? относительно чего 6 в?
опять мудришь. Это всё предельные параметры у тебя написаны. А тут прямо сказано, чтобы между базой и коллектором никогда не было больше 180 вольт. Что тут не понятного?
4 Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V → опять же повторяю - напряжение не пропускается никуда, пропускается ток. А этот параметр напрямую говорит о том, что никогда нельзя подавать на базу больше 6 вольт. Что тут непонятного? Причём тут пропускание? Он полностью будет открыт и при 1 вольте. Но больше 6 в нельзя!
5 Ток коллектора, не более: 0.6 А → При чём тут напряжение? Сказано же конкретно про ток! Не более 600ма. Всё! При любом напряжении не более 600 ма! Всё!
6 Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт - транзистор способен выдержать мощность не более 625мвт. Пример - ток коллектора 0,01а, при напряжении на коллекторе не более 62,5 в.
Или ток 0,1а, но тогда напряжение 0,625\0,1 = не более 6,25 в
Или задаться сначала напряжением, и тогда вычислить наибольший ток, который допустим исходя из макс. мощности.
7 Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 80 до 250 - это диапазон кооэф. усиления, который для этого типа транзистора. Может быь любой в этом диапазоне, у разных экземпляров.
8 Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц → частота на которой модуль передачи тока падает на 3 дб. Ну проще - коэфф. усил. падает в 2 раза по сравнению с постоянным током.
9 Корпус: TO-92 - это вид корпуа, картинку сам найдёшь по этому обозначению
ОН
Олег Никитин
85 519
Салтанат Рамазанова Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V-------это обр напряжение (на эмит выше, чем на базе), если больше, то пробьет (как стабилитрон),
У транзистора как известно 3 вывода - коллектор, база, эмиттер. Напряжения могут быть приложены между каждыми двумя из них, причем как в одну сторону, так и в противоположную (по знаку). Так если указано напряжение коллектор-эмиттер не более 160 в- это значит, что приложено обратное напряжение по знаку. Прямое напряжение между этими электродами может быть небольшим 5-7 в, поскольку транзистор это полупроводниковый прибор, а известно что полупроводник проводит в одну сторону и не проводит в обратную. Стало быть когда не проводит - это обратное напряжение, оно большое может быть. Когда проводит - это прямое напряжение, оно маленькое. Для перехода база-эмиттер оно максимум 5-6в.
Напряжение между коллектором и базой обратное допустимо 180в.
Напряжение 6в подается на базу относительно эмиттера, а не коллектора, что тут не понятного?
Что касается максимально допустимых параметров, то транзистор может работать только при одном из них, все остальные не должны быть максимальными, точнее, ни одно больше не должно быть максимальным. Так что если ты выбрал напряжение 160в, то ток при этом не может быть 0.6а. Каким он может быть при этих 160в надо смотреть на графические характеристики этого транзистора (в справочнике).
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора определяет мощность, которую транзистор может отдать через коллектор в нагрузку без ущерба для себя. Эта мощность может быть достигнута при максимальном токе коллектора и некотором сопротивлении нагрузки, либо при некоторых значениях тока и напряжения на нагрузке, так, что этот ток помноженный на напряжение не будет превышать вот этого указанного максимального значения мощности. Эти области допустимых значений тока и напряжения также можно видеть на графических характеристиках транзистора.
Коэффициент усиления по току - это же просто. Это во сколько раз выходной ток транзистора будет больше входного при некоторых зафиксированных напряжениях на входе и выходе. Для схемы с общим эмиттером, например, это отношение тока коллектора к току базы.
Ну и всё пока.
2 Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В - когда транзистор закрыт (и вообще), максим напр между ЭК, больше - пробой
3 Напряжение коллектор-база, не более: 180 В, надеюсь, понятно, нельзя больше
4 Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V-------это обр напряжение (на эмит выше, чем на базе), если больше, то пробьет (как стабилитрон),
5 Ток коллектора, не более: 0.6 А, больше-сгорит
6 Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт - ток через ЭК умнож-е на напр-е ЭК не должен быть больше 0,6 вт
7 Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 80 до 250, при расчетах принять 80
8 Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц - лучше применять в цепях до несколько МГц
вот, читай внимательно
https://www.ruselectronic.com/bipolyarnyj-tranzistor-chast-10/
Antony Ushakov
Antony Ushakov
75 896
1. В нормальном включении - на коллектор подается плюс относительно эмиттера.
2. Максимально-допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (обычно - при заданном сопротивлении в цепи базы).
3. Максимально-допустимое напряжение между коллектором и базой запертого транзистора.
4. Максимально-допустимое обратное (запирающее) напряжение между базой и эмиттером.
5. Максимально-допустимый ток коллектора.
6. Максимально-допустимая рассеиваемая мощность (Uкэ*Iк).
7. Границы (не менее - не более) параметра h21э - отношения Iк/Iб в активном режиме.
8. Частота, на которой параметр h21э снижается до 1.
напряжение коллектор база это в схеме с общей базой
рассеиваемая мощность это падение напряжения на транзисторе умноженное на ток протекаемый через него
коэффициент передачи тока это зависимость площади коллектора к эмиттеру грубо но точно
от свойств электрического поля
хорошие вопросы у тебя исходящие от не знания ТОЭ (теоретические основы электротехники)
двух полюсники и четырёх полюсники