Техника

Что такое МОП-транзисторы?

Устройство и принцип действия.. .
Знаю только что примерно означает МОП - "металл - окислит. проводник"... Что-то типа этого... Где хотя бы можно прочитать.. . Ссылку или хотя бы название книги...
*.
*к@тюня" .
151
Это означает "металл - ОКИСЕЛ - полупроводник", а не "окислитель"...
Устройство у него простое: два pn-перехода (сток и исток) , область полупроводника между ними (канал транзистора) закрыта с поверхности диэлектриком (окислом) , поверх окисла находится проводящий (в частном случае - металлический) затвор.
Физика работы - управление проводимостью канала транзистора (то есть область полупроводника непосредственно под металлическим затвором) электрическим полем затвора. То есть исток транзистора норовит инжектировать в этот канал носители (скажем, электроны, для транзистора n-типа) , и вот то, насколько хорошо ему это удаётся и сколь легко будет этим электронам дойти до области стока - как раз и зависит от того, что за напряжение подано на затвор.
Прочитать можно, вестимо, в Википедии, но лучше в английской.
Елена Попова
Елена Попова
68 065
Лучший ответ
ищи на сwer.ru А вообще Википедия в помощь
Игорь Маленько
Игорь Маленько
57 111
Металл-Оксид-Полупроводник. Полевик такой.
Виктор Янюк
Виктор Янюк
87 759
ЭКВ - математическая модель МОП-транзистора (MOSFET), предназначенная для использования в программах схемотехнического моделирования и проектирования интегральных схем (analog circuit).[1] Модель была разработана С. С. Энцем, Ф. Круменахером и Е. А. Виттосом (название модели составлено из первых букв фамилий авторов) в 1995 года, когда же основа модели была заложена в 1980-ых годах. [2] В отличии от моделей с квадратичным уравнением (Quadratic Model), модель ЭКВ отличается точностью также в подпороговой области работы МОП-транзистора (например, если Vbulk=Vsource тогда МОП-транзистор находится в подпорговой области Vgate-source < VThreshold). Кроме того, модель ЭКВ содержит много дополнительных специализированных эффектов, которые важны при проектировании микро- и субмикро-нных (submicrometre КМОП) интегральных схем (IC)
МОП структура - (МОП - Металл - Оксид - полупроводник) наиболее широко используемый тип полевых транзисторов. Название МОП является традиционным названием такой структуры. Структура состоит из металла и полупроводника, разделённых слоем оксида SiO2. В общем случае структуру называют МДП (металл - диэлектрик - полупроводник) . Транзисторы на основе МОП-структур, в отличие от биполярных, называются униполярными транзисторами, так как для его работы необходимо наличие носителей заряда только одного типа.

Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми или МОП-транзисторами (в зарубежной литературе MOSFET - metall-oxyde-semiconductor field effect transistor), которые существуют двух типов: n-канальные и p-канальные.
МОП - металлооксидная плёнка