За счёт чего "пятка" диода Шоттки меньше, чем у плоскостного диода?

В объяснении как пить дать должно прозвучать "работа выхода", "потенциальный барьер", "накопление неосновных носителей заряда".

Что-то типо этого;

Рассмотрим особенности работы диода с барьером Шоттки на основе контакта металла с полупроводником n-типа. для случая, когда работа выхода металла f0м больше, чем работа выхода? 0п полупроводника (рис. 6.1 а) . При образовании контакта электроны переходят из материала с меньшей работой выхода в материал с большей работой выхода, в результате чего уровни Ферми металла и полупроводника выравниваются. При этом полупроводник оказывается заряженным положительно, а возникающее внутреннее электрическое поле препятствует переходу электронов в металл. Между металлом и полупроводником возникает контактная разность потенциалов Uк =j0м - j0п.
Благодаря разности работ выхода металла и полупроводника между ними происходит обмен электронами. Электроны из полупроводника, имеющего меньшую работу выхода, переходят в металл с большей работой выхода. В равновесном состоянии (рис. 6.1 а) металл заряжается отрицательно, в результате чего возникает электрическое поле, прекращающее однородный переход электронов.

Таким образом, в диоде Шоттки отсутствуют накопление неосновных носителей заряда в областях диода при прямом напряжении и рассасывание этого заряда при изменении знака напряжения. Это улучшает быстродействие диода, т. е. частотные и импульсные свойства. Время восстановления обратного сопротивления с диодом Шоттки при использовании кремния и золота - примерно 10 нс и меньше.