Тайминги памяти. Разгон. Что можно подправить для быстродействия.

Question

Размер модуля 2 Гб (1 rank, 8 banks) 
 Тип модуля Unbuffered DIMM 
 Тип памяти DDR3 SDRAM 
 Скорость памяти DDR3-1333 (667 МГц) 
 Ширина модуля 64 bit 
 Вольтаж модуля 1.5 V 
 Метод обнаружения ошибок Нет 
 Производитель DRAM Samsung 
 
 Тайминги памяти: 
 @ 609 МГц 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-98-4-10-5-5 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP) 
 @ 533 МГц 7-7-7-20 (CL-RCD-RP-RAS) / 27-86-4-8-4-4 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP) 
 @ 457 МГц 6-6-6-17 (CL-RCD-RP-RAS) / 23-74-3-7-4-4 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)

Дима Маркелов · Accepted Answer

можно увеличить шину FSB

Алексей · Answer

надо что бы все планки были одинаковые. до 800 мгц можно безболезненно поднять. это делается в биосе. надо смотреть какой биос и уже искать имфу по разгону конкретной мамки и оперативы. поличному опыту скажу, скорость оперативы не влияет на работу. если конечно тебе что то даст ускарение работы на 1 микросекунды.