Что такое в оперативе 1 rank 8 banks? У меня 2 модуля по 4 гб на одном 1 rank 8 banks, а на другом 2 rank 8 banks

1 ранк - вся память модуля доступна за раз
2 ранка - в один момент времени доступна только половина модуля. для выбора другой половины надо переключить ранки.
т. е у одноранковой и двухранковой разное управление адресацией.
конечно желательно иметь модули одинаковой архитектуры, но современные контроллеры памяти с такой "кривизной" справляются.
если у вас нормально доступны 8ГБ, то и не заморачивайтесь.

Q: Что такое банки памяти?
A: Существуют физические банки и логические банки:

1. Ширина шины данных простых модулей составляет 64 бита. Обычно используются микросхемы разрядностью 4, 8 или 16 бит. Таким образом, для получения общей разрядности 64 бита, потребуется набор из 16, 8 или 4 микросхем соответственно. Каждый такой набор микросхем объединяется в физический банк. В одном модуле может быть размещено несколько физических банков. В случае простых (unbuffered) модулей каждая сторона модуля с микросхемами соответствует одному физическому банку, т. е. понятия однобанковый/двухбанковый модуль соответствуют понятиям односторонний/двухсторонний модуль.
При использовании модулей с ECC разрядность шины данных будет 72 бита, дополнительные 8 бит потребуются для реализации упомянутой ЕСС.

2. Логические банки организованы внутри микросхем памяти, т. е. осуществляется разбиение массива данных. Для различных типов памяти число банков строго оговаривается в спецификациях.
В частности, для DDR число банков составляет 4. Микросхемы DDR2 содержат по 4 логических банка при плотности чипов 256Mb и 512Mb и 8 банков при плотности чипов 1Gb и выше.

Q: Что такое Rank?
A: Ранг (ранк) - это физический банк модуля памяти. В отношении простых (unbuffered) модулей понятия одноранговый/двухранговый или Single Rank/Double Rank соответствуют понятиям односторонний/двухсторонний модуль. В отношении регистровых модулей данное правило не действует. Например, двухстороннее расположение микросхем на модуле может соответствовать одно-, двух-, или четырехранговой схеме.

Q: Что такое банки памяти?
A: Существуют физические банки и логические банки:

1. Ширина шины данных простых модулей составляет 64 бита. Обычно используются микросхемы разрядностью 4, 8 или 16 бит. Таким образом, для получения общей разрядности 64 бита, потребуется набор из 16, 8 или 4 микросхем соответственно. Каждый такой набор микросхем объединяется в физический банк. В одном модуле может быть размещено несколько физических банков. В случае простых (unbuffered) модулей каждая сторона модуля с микросхемами соответствует одному физическому банку, т. е. понятия однобанковый/двухбанковый модуль соответствуют понятиям односторонний/двухсторонний модуль.
При использовании модулей с ECC разрядность шины данных будет 72 бита, дополнительные 8 бит потребуются для реализации упомянутой ЕСС.

2. Логические банки организованы внутри микросхем памяти, т. е. осуществляется разбиение массива данных. Для различных типов памяти число банков строго оговаривается в спецификациях.
В частности, для DDR число банков составляет 4. Микросхемы DDR2 содержат по 4 логических банка при плотности чипов 256Mb и 512Mb и 8 банков при плотности чипов 1Gb и выше.
Q: Что такое Rank?
A: Ранг (ранк) - это физический банк модуля памяти. В отношении простых (unbuffered) модулей понятия одноранговый/двухранговый или Single Rank/Double Rank соответствуют понятиям односторонний/двухсторонний модуль. В отношении регистровых модулей данное правило не действует. Например, двухстороннее расположение микросхем на модуле может соответствовать одно-, двух-, или четырехранговой схеме