У меня есть экзаменационные задания и мне с ними нужна помощь :)

28. Биполярный транзистор обладает свойством усиливать электрический входной сигнал, благодаря чему его можно использовать в качестве активного элемента. Под усилением сигнала обычно подразумевается усиление мощности полезного сигнала, которое можно наблюдать при изменении или тока, или напряжения, или того и другого. В зависимости от схемы включения (ОБ, ОЭ, ОК) транзистор усиливает либо ток, либо напряжение, либо то и другое. Подробнее здесь: https://studopedia.ru/4_128350_usilitelnie-svoystva-bipolyarnogo-tranzistora.html.
36. Основное назначение электронно-лучевой трубки — образование видимого изображения с помощью электрических сигналов. Подводя к электродам трубки соответствующие напряжения, можно рисовать на ее экране графики переменных напряжения и токов, характеристики различных радиоустройств, а также получать движущиеся изображения, подобным тем, которые мы видим на экране кино.
С параметрами не разобралась см здесь: http://radiolamp.net/news/567-principy-raboty-i-parametry-yelektronno-luchevoj-trubki-yelt.html.
13. ФОТОРЕЗИСТОР (от фото. и резистор), представляет собой непроволочный полупроводниковый резистор, омическое сопротивление которого определяется степенью освещенности . В основе принципа действия фоторезисторов лежит явление фотопроводимости полупроводников. Фотопроводимость- увеличение электрической проводимости полупроводника под действием света. Причина фотопроводимости — увеличение концентрации носителей заряда — электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. Светочувствительный слой полупроводникового материала в таких сопротивлениях помещен между двумя токопроводящими электродами. Под воздействием светового потока электрическое сопротивление слоя меняется в несколько раз ( у некоторых типов фотосопротивлений оно уменьшается на два- три порядка ). В зависимости от применяемого слоя полупроводникового материала фотосопротивления подразделяются на сернистосвинцовые, сернистокадмиевые, сернисто-висмутовые и поликристаллические селено- кадмиевые. Фотосопротивления обладают высокой чувствительностью, стабильностью, экономичны и надежны в эксплуатации. В целом ряде случаев они с успехом заменяют вакуумные и газонаполненные фотоэлементы. Основные характеристики фотосопротивлений. 1. Рабочая площадь. 1. Темновое сопротивление (сопротивление в полной темноте), варьирует в обычных приборах от 1000 до 100000000 ом. 2. Удельная чувствительность где: -фототок, равный разности токов в темноте и на свету; Ф - световой поток; U - приложенное напряжение. 4. Предельное рабочее напряжение ( как правило от 1 до 1000 в ). 5. Среднее относительное изменение сопротивления, % - обычно лежит в пределах 10 - 99,9 %, -сопротивление в освещенном состоянии. 6. Средняя кратность изменения сопротивления ( как правило от 1 до 1000 ). Определяется соотношением : Применение: устройства воспроизведения звука, системы слежения, различные устройства автоматики. Схема включения фоторезисторов: При определенном освещении сопротивление фотоэлемента уменьшается, а, следовательно, сила тока в цепи возрастает, достигая значения, достаточного для работы какого- либо устройства ( схематично показано в виде некоторого сопротивления нагрузки )
Подробнее см: http://za4eti.ru/referat/somvm