Растолкуйте по N-канальным транзисторам полевым?

Rds(On) - это сопротивление между стоком и истоком в полностью открытом (насыщенном) состоянии. Зная это сопротивление и силу тока, можно прикинуть мощность, которая будет рассеиваться на транзисторе. Чем выше сопротивление - тем больше тепла будет на нем выделяться. Чрезмерное тепловыделение может привести к смерти транзистора.

Еще одним немаловажным параметром является паразитная ёмкость затвора (Cg, gate capacitience). Чем она выше - тем медленнее будут происходить переходные процессы в транзисторе. То есть, будут удлиняться фронты и срезы импульсов, что приведет к повышенному тепловыделению и может также убить транзистор. Для ускорения "прокачки" паразитных емкостей затвора, в цепь затвора ставятся специальные буферные схемы (усилители на двух маломощных транзисторах) .

Кроме того, наличие паразитной ёмкости вызывает "дребезг" - очень неприятные затухающие колебания по фронтам импульса. Кроме того что они жутко засоряют радиоэфир - так и еще с 99% вероятностью приводят к выходу из строя транзистора.

Для борьбы с ними в цепь затвора включают резистор сопротивлением несколько десятков Ом.

Вместо 30В 50А можно поставить 60В 60А, однако чем больше рабочее напряжение - тем, как правило, больше сопротивление и паразитная ёмкость.

Есть с P-N переходом в затворе, есть MOP, есть с отрицательной ВАХ от напряжения затвора и положительные, есть с триодной ВАХ и тетродной, есть 2-х затворные. Есть планарные и есть для меньшей ёмкости затвора в V канавках (используется материал с разном кр. гр. среза 110, 111), есть аналог Дарлингтона (полевик и биполярник) . Есть с диодом между стоком и истоком для защиты. Ваша информация в вопросе близка к 0.