как изменяется ширина обеденного слоя при подаче на переход прямого напряжения и почему?

Ширина обеднённого слоя уменьшается при подаче прямого напряжения (т. е. "+" на p-область, "-" на n-область) . Что при этом происходит, двумя предложениями не объяснишь. Постараюсь объяснить тремя и больше.
Когда между полупроводниками p- и n-типа возникает контакт, то часть дырок из p-области перетекают в n-область, а часть электронов - наоборот (с последующими рекомбинациями) . Это диффузионный ток.

В результате такой диффузии приграничная p-область получает дополнительный отрицательный заряд, n-область - положительный. (Другими словами в приграничной n-области возникает нехватка электронов, в приграничной p-области их избыток - что и является обеднённым слоем) . Но такой процесс не длится до бесконечности. Т. к. на границе возникли области с противоположными зарядами, то между ними возникает электрическое поле, оно направлено из n-области в p-область (это пространственный заряд p-n-перехода) . Это электрическое поле создаёт ток, который называют дрейфовым и направлен в сторону, противоположную диффузионному (см. выше) .

В какой-то момент создаётся динамическое равновесие и перетекание зарядов прекращается. А на границе создаётся тот самый обеднённый слой.

Теперь приложим прямое напряжения к p-n-переходу. Что произойдёт ? -Внешнее электрическое поле будет направлено противоположно пространственному заряду, что приводит к нарушению динамического равновесия и диффузионный ток начинает преобладать над дрейфовым. Вот так открывается p-n-переход, и называется это явление прямым смещением p-n-перехода.

А если приложим обратное напряжения к p-n-переходу? Тогда мы только увеличим область пространственного заряда, т. е. обеднённый слой станет шире. И ток через p-n-переход не будет течь. Нет вообще-то будет - тот самый дрейфовый ток, но он настолько незначителен, что им можно пренебречь.

при прямом напряжении ширина уменьшается и ток течёт катод эммитирует неосновные носители