Может кто-нибудь внятно объяснить,как работает биполярный транзистор?

Эмиттер так назван не просто так. Носителей в базе мало. Допустим, у нас NPN. То есть у нас две области с электронами, и между ними тоненькая область где чутка дырок. Что будет, если подать ток между базой и эмиттером? Правильно, куча электронов из эмиттера ломанётся в базу, рекомбинируют с несколькими дырками, что в базе, насытят её, превратив весь кристалл в один большой кирпич N проводника. Вот тебе проводник, транзистор открыт, через него фигачит ток.

Если че, транзистор на самом деле, это не два диода. Это крайнее упрощение, не соответствующее действительности

Учебных пособий тьма в поиске, какой толк тут тебе расписывать? Вон написали тебе на пол страницы, и что? Ты что то понял? Пока сам всю тему не выучишь, не поймешь ничерта.....

Берём два диода. Маленький диод приклеиваем к большому. На большой диод подаём запирающее напряжение, а на маленький - отпирающее и прямой ток.

Само собой, при этом большой диод, не имея своего тока, тырит почти весь ток у маленького диода. Каротче, сплошная дедовщина)

Базовый ток как бы добавляет (насыщает) в область базы недостающие носители, электроны или дырки. То есть, база из N-области превращается в P-область, и наоборот, в зависимости от проводимости. Это и способствует переходу коллекторного тока через базу, и далее в эмиттер.

Биполярный транзистор назван так потому, что у него есть два внутренних поля: поле эмиттерного перехода и поле коллекторного перехода. Такой транзистор имеет 4 режима работы в зависимости от того, открыт или закрыт каждый из переходов. Принцип действия транзистора в наиболее часто используемом активном режиме, когда эмиттерный переход открыт прямым напряжением, а коллекторный переход закрыт обратным напряжением заключается в том, что под действием прямого напряжения, приложенного к эмиттерному переходу основные носители области эмиттера переходят в базу, где их малая часть рекомбинирует с носителями базы или уходит на вывод базы, образовывая ток базы. Основные носители области эмиттера становятся в базе неосновными, поэтому поле закрытого коллекторного перехода будет для них ускоряющим. БОльшая часть носителей эмиттера из базы втягивается в коллектор полем коллекторного перехода и напряжением, приложенным к коллектору. Они образовывают ток коллектора. У транзистора 3 тока: ток базы через вывод базы, ток коллектора через вывод коллектора и ток эмиттера, через вывод эмиттера. Ток эмиттера состоит из тока базы и тока коллектора. Увеличение тока базы ведёт к увеличению количества носителей, выходящих из эмиттера в базу, и как следствие, увеличение тока коллектора.

На уровне "Два диода,противоположно направленные,в промежутке база" бессмысленно задавать вопросы про "носители и лавинный разряд".

Какие 2 диода? )))
Но признаюсь и я так заблуждался в классе 7м.

Нет, там не было бы электронного пробоя коллектор-эмиттер, так как это были бы две физически разных области.
Если взять 2 диода, ты не получишь транзистор, попробуй.

Суть в том, что это пирог, цельный и неделимый.

Ну и объяснений тебе дали уже достаточно. Можно разобраться.

Биполярные транзисторы, такие как NPN и PNP, основные элементы в усилителях и логических элементах в электронных устройствах. Чтобы понять, как они работают, давайте рассмотрим принципы работы NPN транзистора.

Структура биполярного транзистора
Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводникового материала, которые обычно называют эмиттером (E), базой (B) и коллектором (C). Для NPN транзистора эмиттер - N-тип, база - P-тип, коллектор - N-тип. Диоды между эмиттером-базой и базой-коллектором называются pn-переходами.

Работа биполярного транзистора
База (Base): Малый ток, вводимый в базу, меняет концентрацию носителей заряда в базе. Если это NPN транзистор, то база P-типа, и приложение положительного напряжения (в отношении к эмиттеру) приводит к тому, что электроны начинают переходить в базу.

Эмиттер (Emitter): Эмиттер обычно имеет высокую концентрацию электронов. Электроны, переходя в базу из эмиттера, образуют "электронно-избыточный" слой, который обеспечивает электронное усиление.

Коллектор (Collector): Коллектор, имея концентрацию электронов (для NPN) больше, чем в базе, притягивает электроны из базы. Это происходит из-за разности потенциалов между базой и коллектором.

После того как электроны переходят в базу из эмиттера, они движутся к коллектору под действием электрического поля, создаваемого приложенным напряжением между эмиттером и коллектором. Этот процесс называется инжекцией мажоритарных носителей.

Усиление тока
Несмотря на то что малый базовый ток изменяет только небольшое количество носителей, это изменение имеет значительный эффект на большой коллекторный ток. Это происходит из-за эффекта усиления.

Усиление по току (Current Gain): Электроны, переходящие в базу и составляющие малый базовый ток, вызывают изменение концентрации носителей в базе. Это изменение концентрации заряженных частиц в базе приводит к изменению большого коллекторного тока в много раз. Этот коэффициент усиления тока называется бета (β).

Эффект лавинного пробоя: Нельзя не упомянуть, что в биполярных транзисторах может происходить лавинный пробой в условиях высоких напряжений, но обычно это не желательное явление и предотвращается правильным проектированием и использованием транзистора.

Заключение
Таким образом, биполярные транзисторы усиливают малый базовый ток путем изменения концентрации носителей в базе и пропорционально увеличивают большой коллекторный ток. Это ключевой механизм их работы, который обеспечивает функционирование в усилителях и других электронных устройствах.