Полагаю, так.
Транзистор в схеме стоит "наизнанку".
Эмиттерный переход, где стрелочка, - управляющий. Он включается в прямом направлении, стрелка показывает направление тока. Как обычный диод.
Коллекторный переход - управляемый. Он включается в обратном направлении. Ток через него продолжает ток эмиттера.
Через переход ЭБ и Б течёт небольшой ток и на переходе ЭБ падает небольшое напряжение. Как обычный диод.
И соответственно току через Б - течёт во много раз больший ток через транзистор от Э к К.
Во сколько раз ток Iк больше Iб - это коэффициент усиления по току.
В принципе, можно поменять местами переходы, эмиттерный и коллекторный. Они принципиально не различаются. Но транзистор будет работать намного хуже, усиление будет намного меньше, потому что переходы приспособленны для своих целей. Но так перевернуть транзистор можно, работать будет.
На схеме транзистор не просто перевёрнут, так бы работал, а стоит вообще в другой полярности.
Там, где в схеме с общей базой должен быть на входе эмиттер, на схеме стоит коллектор и вообще наоборот по полярности.
Если транзистор такой, n-p-n, как на схеме, со стрелочкой наружу, то эмиттер должен быть на входе.
Входное напряжение должно быть отрицательным, ток вытекает из эмиттера, по направлению стрелки.
Напряжение, подаваемое на коллектор через нагрузку, тоже должно создавать ток в направлении тока эмиттера, то есть, должно быть положительным, относительно базы.
Как менять схему, коротко.
Прежде всего входное напряжение 10 В нужно решительно уменьшить до долей вольта, лучше для начала, не более 0,1 В. Примерно 0,7 В могут сжечь эмиттерный переход в кремниевом транзисторе. И примерно 0,2 В - в германиевом.
Изменение самой схемы.
Транзистор нужно перевернуть стрелкой к источнику входной эдс. Источник входной эдс тоже перевернуть. И источник 20 В тоже перевернуть.
И тогда получится схема с общей базой, с нагрузкой в коллекторе.
В чём её смысл.
Через источник входной эдс течёт примерно такой же ток, как и через нагрузку, через нагрузку чуть меньше, на величину Iб. То есть, усиления по току нет вообще, есть даже маленькое ослабление.
Увеличение входного напряжения приводит к открыванию перехода ЭБ, через него начинает течь ток, и во много раз больший ток начинает течь от Э к К, через входной источник, транзистор, нагрузку и выходной источник. Этот выходной источник такой большой ток через нагрузку и обеспечивает.
Большой ток на через нагрузку создаёт на ней большое напряжение. И небольшое изменение входного напряжения приводит к большому изменению напряжения на нагрузки.
Входной ток и ток через нагрузку - практически одинаковые. Усиления по току нет.
Как снимаются характеристики.
На эмиттер подаётся небольшое напряжени, доли вольта. Каждому напряжению соответствует свой эмиттерный ток. Это зависимость тока эмиттера от напряжения ЭБ.
Большой ток через базу может спалить транзистор. Хорошо бы поставить амперметр в цепь базы, и контролировать ток базы.
Соответственно напряжению на входе меняется ток через коллектор. Получается зависимость Iк от Uбэ.
Напряжение на нагрузке будет равно равно разности выходной эдс и показаний вольметра на выходе.
Измерения можно сделать при разных напряжениях выходного источника.
Как-то так.
Схема с общей базой мне мало знакома, вспоминал и рассуждал по ходу написания ответа.
⇢ 
